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在日益增长的变频器市场，许多厂商提供性能和尺寸各异的变换器类型。这正是以低损耗和高开关频率而著称的新igbt技术施展的舞台。在62mm(当前模块的标准尺寸)模块中使用新igbt技术使用户可以因不必改变其机械设计概念而获益。
基于平台技术的标准62mmsemitrans模块，由于针对igbt和二极管采用了不同的半导体技术，因此适合于多种应用场合。采用标准尺寸模块外壳这一事实意味着用户有更多可供选择的供应商。新1200v系列模块为我们展示了外壳和半导体之间的匹配是多么的完美，该系列产品基于英飞凌的igbt4技术和赛米控稳健可靠的新cal4二极管。
2 半导体开关中的igbt和二极管
在电力电子里半导体器件igbt和二极管仅作为开关。
“理想的开关”必须满足以下条件：
通态压降vd=0，与当前导通电流无关;
反向电流ir=0，直到最大允许反向电压;
开关损耗psw=0，与当前被切换的电流和直流母线电压无关;
热阻rth无足轻重，因为没有损耗产生。
然而，在实际的开关中，存在大量的正向和开关损耗。因而设计中的热阻对模块性能来说是至关重要的。本文讨论igbt2、igbt3以及semitrans模块采用的新gbt4半导体技术之间的区别，并展示在某些情况下新igbt4技术所带来的性能提升。