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超低导通电阻IRFR5305TRPBF描述
从国际整流器使用第五代HEXFETs先进的加工技术,实现极低导通电阻/硅区域。这个好处,结合快速转换的速度和加固的设备设计HEXFET功率mosfet是众所周知的,提供设计师非常有效和可靠的设备用于各种各样的应用程序。
D-Pak设计用于表面安装使用蒸汽阶段、红外或波峰焊接技术。直铅对通孔安装版本(IRFU系列)应用程序。功耗水平1.5瓦特在典型的表面安装的应用程序。
超低导通电阻
表面山(IRFR5305)
直接领导(IRFU5305)
先进的工艺技术
快速切换
完全雪崩额定
无铅
二极管峰值复苏dv/dt测试电路
IRFR5305TRPBF注:
1.控制维度:毫米。
2.所有尺寸是毫米(英寸)所示。
3.大纲符合eia-481&eia-541。