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简介：
这些P通道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管是采用仙童公司专有的高单元密度DMOS技术生产的。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化开态电阻。
这些设备特别适合于低压应用，如笔记本电脑电源管理，便携式电子产品，和其他电池供电电路，在一个非常小的轮廓表面安装包需要快速高侧开关，和低在线功耗。
型号：NDS352AP
商品目录：MOS(场效应管)：
连续漏极电流（Id）（25°C时）：900mA
漏源电压（Vdss）：30V
栅源极阈值电压（最大值）：2.5V@250uA
漏源导通电阻（最大值）：300mΩ@1A，10V
类型：P沟道
功率耗散（最大值）：500mW
参数：
ET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：900mA（Ta）
不同Id，Vgs时的?RdsOn（最大值）：300毫欧@1A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：3nC@4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：135pF@15V
功率-最大值：460mW
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SuperSOT-3
封装：
绝对最大额定参数：
除非另有说明，否则TA= 25℃
