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用于检出高能粒子( α 射线、β 射线),强度的半导体敏感元件。它通常做成PN结、表面势垒、PIN结等结构形式，使入射的粒子射线转换成电荷脉冲进行检测。
半导体放射线检测器semiconductor radiation detector
用于检出放射线粒子数量(即放射线强度)的半导体射线敏感元件。它通常由半导体材料(Si、Ge)制成PIN结构形式，可将放射线( γ 射线、X 射线等)粒子转换成电荷脉冲进行检测。
射线敏感元件radiation sensor;radiation-electric signal transducer
对放射线( X 射线、γ 射线)、粒子射线( α 射线、β 射线)等信息或能量具有响应和转换功能的敏感元件。
防雷用电压敏电阻器arrester varistor
用于吸收大气过电压的压敏电阻器。
消磁电压敏电阻器anti-magnetized varistor
用来消除励磁电路中因被切断而储存的能量的压敏电阻器。
消噪电压敏电阻器noise suppressing varistor
用来消除电噪声的电压敏电阻器。
消弧电压敏电阻器arc suppressing varistor
用来消除各种型式的继电器火花、开关电弧的电压敏电阻器。
高频电压敏电阻器high frequency varistor
在载波机等较高频率的电子设备中作为过电压吸收的压敏电阻器。
高能电压敏电阻器high energy varistor
单位体积内吸收能量大的电压敏电阻器。
过电压保护电压敏电阻器over voltage protection varistor
用于抑制过电压的电压敏电阻器。
稳压电压敏电阻器stabilized voltage varistor
利用非线性特性对电子线路输出电压起稳定作用的电压敏电阻器。
膜式电压敏电阻器film varistor
由薄膜构成电阻体的电压敏电阻器。
单颗粒层电压敏电阻器single grain layer varistor
将碳化硅、硅等半导体颗粒单层排列在一个平面内且彼此绝缘，每个颗粒的上下两面都与电极相接触而构成的电压敏电阻器。
结型氧化锌电压敏电阻器junction type zinc oxide varistor
由氧化锌电阻体与金属电极之间的非欧姆接触而形成非线性特性的电压敏电阻器。
体型氧化锌电压敏电阻器bulk zinc oxide varistor
两电极与电阻体之间呈欧姆接触，由电阻体内大量氧化锌颗粒之间的界面层形成非线性特性的电压敏电阻器。
氧化锌电压敏电阻器zinc oxide varistor
电阻材料以氧化锌为主，添加适当的其他金属氧化物并用一般陶瓷工艺制成的电压敏电阻器。
碳化硅电压敏电阻器silicon carbride varistor
电阻体材料以碳化硅为主，用一般陶瓷工艺制成的电压敏电阻器。
电压敏电阻器varistor;voltage-dependent resitotr
在正常条件下，当电压超过某一临界值时，电流随电压升高而急剧增加的半导体非线性电阻器。
电阻式湿敏元件resistive moisture sensor
电阻值随相对湿度变化而改变的湿敏元件。
电容式湿敏元件capacitive moisture sensor
电容量随相对湿度变化而改变的湿敏元件。
湿敏元件moisture sensor
对环境湿度(水蒸气)具有响应和转换功能的敏感元件。可用Ge、Se、氧化物半导体等材料制成。
复合氧化物系气敏元件compound oxide series gas sensor
以稀土和过渡金属复合氧化物为基体材料制成的气敏元件。
SnO\-2系气敏元件tin oxide series gas sensor
以SnO\-2为基体材料加入适量掺杂剂制成的气敏元件。
烧结式气敏元件sintered gas sensor
将一定配比的气敏材料、掺杂剂和粘合剂，经混合、研磨制成浆料，然后滴入模具(事先已放好Pt丝)或涂在电极上自然干燥或压模成型，在一定温度下烧结而成的气敏元件。
薄膜式气敏元件thin film gas sensor
利用蒸发或溅射法在绝缘基片上淀积气敏性氧化物薄膜而制成的气敏元件。
硅单晶气敏元件silicon crystal gas sensor
利用光刻和化学腐蚀技术在硅单晶基片上制成的气敏元件。它具有微型化和集成化的特点。
P型氧化物气敏元件P-type oxide gas sensor
由P型氧化物材料(NiO、CoO、Cr\-2O\-3等)制成的气敏元件。P型气敏元件吸附氧化性气体时，其电阻值下降；而吸附还原性气体时，其电阻值增高。
N型氧化物气敏元件N-type oxide gas sensor
由N型氧化物材料(ZnO、SnO\-TiO\-2等)制成的气敏元件。N型氧化物气敏元件吸附还原性气体时，其电阻值下降；而吸附氧化性气体时，其电阻值增高。
气敏元件gas sensor
对环境气体具有响应和转换功能的敏感元件。气敏元件大多由非化学配比的金属氧化物材料制成，其电阻值随表面吸附气体的种类和吸附量而发生相应变化。用于有毒气体、可燃气体及其他气体的报警、检漏、定量检测等。
光电磁敏元件photoelectro magnetic(PEM) element
利用半导体的光电磁敏效应制成的检测红外线和热辐射的敏感元件。可用于监控铁路车轮或制动器的发热状况。最小探测功率为10\+\{-9\}～10\+\{-10\}瓦。
注：光电磁敏效应是指，当光生载流子在半导体(Insb)内因扩散而流动时，在外加磁场形成的霍尔效应作用下可在电极间产生电动势的效应。
磁敏晶体管magnetic transistor
具有晶体管结构的电流型磁电转换器件。其灵敏度是磁敏二极管的几倍至十几倍。
磁敏二极管magnatic diode
其电阻值随磁场方向与大小有显著变化的二极管。
磁敏电阻器magnetic resistor
半导体的电阻值随外加磁场强度平方成正比例变化的电阻器。与霍尔元件相比，可检测较强的磁场强度(大于1千高斯)，可用作无触点可变电阻器。
霍尔集成电路Hall integrated circuit
将霍尔元件和放大器等元件制作在同一块半导体基片上的集成电路。
霍尔调制器Hall modulator
为信号调制目的而特殊设计的霍尔元件。
霍尔探头Hall probe
为测量磁场强度而特殊设计的霍尔元件。
霍尔乘法器Hall multiplier
利用霍尔元件的输出电压VH与外加磁场强度H和控制电流I乘积成正比的关系而构成的乘法器。可用作信号调制器。
霍尔元件Hall element
又称霍尔效应器件(Hall effet device)利用半导体霍尔效应制成的磁敏元件。主要用于磁场强度的测量和磁滞信号的接收等。
注：在半导体或金属制成的长方体内，如果在X方向上通以电流、在Z方向上施加磁场强度Hz，那么在垂直于两者的Y方向上则产生电动势，这种现象称作霍尔效应。
磁敏元件magneto sensor
对外界磁场强度变化具有响应和转换功能的敏感元件。包括霍尔元件、磁敏电阻器、磁敏二极管、磁敏晶体管等。
ZnO系气敏元件zinc oxide series gas sensor
以ZnO为基体材料加入适量掺杂剂制成的气敏元件。
光集成电路optical integrated circuit
将许多光电元件制作在一块基片上以实现集成化的光电组件。
固体摄象器solid-state image sensitive device
能将光图象转换成电信号的半导体光敏器件。它是在一种半导体基片上排列很多独立光敏探测单元(象素)、并把入射到各象素的光量以电信号形式输出的固体摄象装置。
光电耦合器photoelectric coupler
将发光器件和受光器件加以组合，并以光为媒介进行信号传递的组件。输入端一般是发光二极管，输出端一般是光电晶体管。
光电闸流管photo thyristor
利用光电流作为控制电流使其进行开闭动作的闸流管。
光电晶体管photo transistor
对光电流具有放大作用的体管。它相当于在基极和集电极之间串接光电二极管的普通晶体管。
光电二极管photo diode
利用半导体p-n结或表面势垒将光生载流子作为光电流或光生电动势输出的光敏元件。
红外探测器infrared detector
对红外光信号具有响应和转换功能的光敏元件。主要用于军事目标的夜视、跟踪、制导等目的。
蓝硅电池 blue streak silicon photo cell
对兰色光响应特别灵敏的硅光电池。其光谱灵敏区一般在4200～8500埃范围。主要用于检测目的，如测光、照相机电子快门、自动控制等。
硅光电池silicon photo cell
用硅材料制成的光电池。主要用于控制、驱动电路以及光学测量。
太阳电池solar cell
将太阳光能直接转换成电能的光电转换元件。
光电池photo cell
利用光伏效应制成的光敏元件。它是一种将光能转换成电能的光电转换元件。
注：当半导体受到光照后，由于光产生载流子浓度不均匀性而在两种材料的界面上产生光生电动势的效应，称为光伏效应。
光敏电阻器photo-resistor
又称光导管(photo conductive cell)。利用光电导效应制成的电阻器。
注：当物质受到光照时，载流子浓度增加、电导率增大的效应，称作光电导效应。
光敏元件photo-sensor
对外界光信号或光辐射具有响应和转换功能的敏感元件。常见的有光敏电阻器、光电池、光电二极管、光电晶体管、红外探测器等。
测速热敏电阻器velocity measure thermistor
主要用于测量和控制流体流速(流量)的热敏电阻器。
稳压热敏电阻器voltage stabilized thermistor
在一定工作电流范围内，能稳定低电压的负温度系数热敏电阻器。
控温热敏电阻器temperature control thermistor
在常温范围内，作温度控制用的热敏电阻器。
测温热敏电阻器temperature measure thermistor
在常温范围内，作温度测量用的热敏电阻器。
氧化物热敏电阻器oxide thermistor
用金属氧化物材料制成电阻体的热敏电阻器。常用的金属氧化物有氧化锰、氧化钴、氧化镍、氧化铜等。
有机半导体热敏电阻器organic semiconductor thermistor
用有机半导体材料制成电阻体的热敏电阻器。
非晶态热敏电阻器amorphous semiconductor thermistor
用无定形结构的无机材料制成电阻体的热敏电阻器。
多晶热敏电阻器multi crystal thermistor
用多晶材料制成电阻体的热敏电阻器。
单晶热敏电阻器crystal thermistor
用单晶材料制成电阻体的热敏电阻器。
非密封型热敏电阻器non-enveloped thermistor
电阻体不具有密封结构，其特性易受周围介质影响的热敏电阻器。
密封型热敏电阻器enveloped thermistor
电阻体具有密封结构，在规定条件下其主要特性不受周围介质影响的热敏电阻器。
旁热式热敏电阻器indirecty heated type thermistor
又称间热式热敏电阻器。电阻体的电阻值变化主要受通过加热器的电流控制的热敏电阻器。热敏电阻器和加热器封装在真空或充以适当气体的玻壳内。
直热式热敏电阻器direct heated type thermistor
电阻体因加热电流直接通过使其发热，或者直接受环境温度影响而改变电阻值的热敏电阻器。
低温热敏电阻器low temperauture thermistor
工作温度在-55℃以下的热敏电阻器。
高温热敏电阻器high temperature thermistor
工作温度在315℃以上的热敏电阻器。
常温热敏电阻器ordinary temperature thermistor
工作温度在-55℃至+315℃范围内的热敏电阻器。
线性热敏电阻器linear thermistor
在工作温度范围内，电阻温度特性呈线性或接近线性关系的热敏电阻器。其中具有负阻温特性的称为负温度系数线性热敏电阻器，具有正阻温特性的称为正温度系数线性热敏电阻器。
临界温度热敏电阻器critical temperature thermistor
在临界温度时,零功率电阻值发生阶跃式减少的热敏电阻器。
负温度系数热敏电阻器N.T.C.thermistor
在工作温度范围内，零功率电阻值随温度升高而显著减小的热敏电阻器。
正温度系数热敏电阻器P.T.C.thermistor
在工作温度范围内，零功率电阻值随温度升高而显著增大的热敏电阻器。
热敏电阻器thermistor
其电阻值随电阻体温度变化而显著变化的半导体电阻器。
热敏元件thermo-sensor;temperature sensor
对外界温度或热辐射具有响应和转换功能的敏感元件。最典型的热敏元件是热敏电阻器；此外，还有热敏二极管、热敏电抗器、热敏谐振器、热辐射检测元件等。被广泛用于检测仪表及控制系统中。
压电晶体管piezo-transistor
对半导体结型晶体管的发射极-基极结上施加局部集中应力后，集电极电流发生变化的敏感元件。
压电二极管piezo-diode
施加应力或压力后，半导体二极管正反向电流发生相应变化的敏感元件。
裂纹扩散计crack propagation gauge
粘贴在被测试件上的用以探测其裂纹扩展情况的敏感元件。
疲劳寿命计fatigue life gauge
粘贴在被测试件上的用以测量试件材料疲劳程度的敏感元件。外形与箔式应变计相似。
三向应变花three-dimesional rosette gauge
由一簇(6个或6个以上)应变计以一定几何形状埋置于被测试件内测其内应力的模块。
非粘贴式应变计unbonded strain gauge
敏感栅不粘贴在基底材料上的应变计。其敏感栅通常由四个电阻栅组成电桥，在外力作用下产生差动电阻变化。
卡尔逊应变计Carlson type strain gauge
用两组已施加张力的细丝作为敏感栅，外部封以挠性金属筒的应变计。
体型半导体应变计bulk type semiconductor strain gauge
用单晶硅等半导体材料切割后经蚀刻等方法制成敏感栅的应变计。
摩擦式应变计frictional strain gauge
用摩擦方式把应变传递到敏感栅的应变计。
膜片式应变计diaphragm strian gauge
制成特珠形状的敏感栅粘贴在膜片平面上以测量膜片受力变形的应变计。
防水应变计water proof strain gauge
表面及引线复盖有防水塑胶使其具有防水性能的应变计。
抗磁性应变计non-mangetic strain gauge
采用磁阻效应很小的材料制成的，可使用于磁场环境中的应变计。
扩散型半导体应变计diffused type semiconductor strain gauge
用热扩散工艺或离子注入法将适当杂质掺杂到半导体材料上而制成敏感栅的应变计。
半导体应变计semiconductor strain gauge
用半导体材料制成敏感栅的应变计。常用的半导体材料有硅、锗等。
屏蔽式应变计shielded strain gauge
将敏感栅或应变计密封于金属外壳内(使用时一般点焊在被测试件上)的应变计。适用于腐蚀性气氛或水下。
多轴应变计multi-axial strain gauge
又称应变花(rosette)。由两个或两个以上敏感栅组成的用于测量两个以上方向应变的应变计。
单轴应变计uniaxial strain gauge
用于测量单向应变的应变计。
埋入式应变计embedded strain gauge
埋入混凝土等结构材料中，用以测定其内部应变的应变计。
喷涂式应变计strain gauge in stalled by spraying process
用陶瓷喷涂的方法固定在被测试件上的应变计。
焊接式应变计weldable strain gauge
用焊接方法固定在被测试件上的应变计。
粘贴式应变计bonded strain gauge
使用时将应变计粘贴在被测试件上的应变计。
大应变应变计high elongation strain gauge
能用于测量应变量超过2％的应变计。
温度自补偿应变计self-temperature compensated strain gauge
在规定的温度范围内，在线膨胀系数为某一定值的被测试件上使用时，热输出不超过规定数值的应变计。
低温应变计low temperature strain gauge
最低工作温度低于-30℃的应变计。
常温应变计normal temperature strain gauge
工作温度在-30℃至+60℃之间的应变计。
中温应变计medium temperature strain gauge
最高工作温度在+60℃至+350℃之间的应变计。
高温应变计high temperature strain gauge
最高工作温度高于+350℃的应变计。
临时基底应变计 strain gauge with temporary base
制造时将敏感栅粘贴于临时基底上，待敏感栅固定在被测试件上之后，临时基底随即被取去的应变计。
金属基应变计strain gauge with metal base
以金属薄片或金属网作为基底材料的电阻应变计。
胶膜应变计stain gauge with organic film base
以有机胶膜作为基底材料的电阻应变计。
浸胶基应变计impregnated base strain gauge
以浸胶的纸或玻璃纤维布作为基底材料的电阻应变计。
纸基应变计paper based strain gauge
以纸作为基底材料的电阻应变计。
薄膜式应变计thin film strain gauge
用蒸镀或溅射法淀积的金属、合金或半导体薄膜制成敏感栅的电阻应变计。
箔式应变计foil strain gauge
以金属箔作为敏感栅的电阻应变计。
丝式应变计 wire strain gauge
以金属丝作为敏感栅的电阻应变计。
电阻应变计resistance strain gauge
又称电阻应变片。能将被测试件的应变量转换成电阻变化量的敏感元件。它是基于电阻敏感栅受到应变时，其电阻值发生相应变化的物理现象(应变-电阻效应)制成的。
力敏元件mechanical sensor
对应力或外界压力具有响应和转换功能的敏感元件。如电阻应变计(片)、压电二极管、压电晶体管等。
敏感元件sensor
对外界被检测的信息具有响应和转换功能的一类元件。被检测的信息(输入信号)可以是物理量，亦可以是化学量，但其检测量一般是以电信号形式输出，如电阻、电压、电容等。按外界被检测信息的类别，敏感元件可分为力敏、热敏、光敏、磁敏、气敏、湿敏、压敏等多种敏感元件。