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当前，国际先进的集成电路芯片加工水平已经进入90nm／12英寸，而且正向65nm水平前进，65nm以下设备已逐步进入实用，45～22nm设备和技术正在开发当中。在芯片制造技术领域的一个显著特点是，集成电路工艺与设备的结合更为紧密，芯片制造共性工艺技术的开发越来越多地由设备制造商来承担。目前，设备制造商的职责已经从单纯地提供硬件设备转变为既要提供硬件设备又要提供软件(含工艺菜单)、工艺控制及工艺集成等服务的总体解决方案，芯片制造技术越来越多地融入设备之中。
我国集成电路芯片制造技术水平与世界先进水平相差巨大。近年在全球市场兴旺发展大潮的带动下，我国集成电路产业投资加大，国际合作的大环境促进了产业从境外向我国大陆转移，中芯国际、上海华虹NEC等大型芯片制造企业已经具备大规模集成电路的生产能力。目前，我国8英寸晶片制造产能快速扩充，主流制造工艺水平为0.18μm。
虽然我国集成电路芯片制造业近年来大规模发展，但不容忽视的是，生产过程中所用到的设备基本都是从国外进口。以光刻机为例，我国集成电路生产线中的光刻机基本都足从欧美和日本进口，尤其是0.5μm以下的光刻机百分之百都来自国外。可喜的是，在“十五”计划期间，国家安排了集成电路专用设备重大科研专项，包括100nm分辨率集成电路光刻机、等离子刻蚀机和大倾角离子注入机，目前相关设备的研究已经取得成果，等离子刻蚀机、大角度离子注入机已完成项目验收，并被中芯国际批量采购。
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我国集成电路芯片制造技术水平与世界先进水平相差巨大。近年在全球市场兴旺发展大潮的带动下，我国集成电路产业投资加大，国际合作的大环境促进了产业从境外向我国大陆转移，中芯国际、上海华虹NEC等大型芯片制造企业已经具备大规模集成电路的生产能力。目前，我国8英寸晶片制造产能快速扩充，主流制造工艺水平为0.18μm。
虽然我国集成电路芯片制造业近年来大规模发展，但不容忽视的是，生产过程中所用到的设备基本都是从国外进口。以光刻机为例，我国集成电路生产线中的光刻机基本都足从欧美和日本进口，尤其是0.5μm以下的光刻机百分之百都来自国外。可喜的是，在“十五”计划期间，国家安排了集成电路专用设备重大科研专项，包括100nm分辨率集成电路光刻机、等离子刻蚀机和大倾角离子注入机，目前相关设备的研究已经取得成果，等离子刻蚀机、大角度离子注入机已完成项目验收，并被中芯国际批量采购。