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M57962L芯片在IGBT驱动中的运用

litianai  发表于 2013/1/25 15:08:56      910 查看 0 回复  [上一主题]  [下一主题]

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  IGBT是一种复合全控型电压驱动式电力电子器件。本文介绍了驱动电路M57962L的工作原理及解决方案:

  IGBT是一种新型功率器件,即绝缘栅极双极集体管是上世纪末出现的一种复合全控型电压驱动式电力电子器件。它将GTR和MOSFET的优点集于一身:输入阻抗高,开关频率高,工作电流大等,在变频器、开关电源,弧焊电源等领域得到广泛地应用。

  功能:一个2.5V~5.0V的阀值电压使IGBT对栅极电荷集聚很敏感;检测管压降VCE的大小可识别IGBT是否过流;封闭性软关断功能提高IGBT安全性。

  IGBT具有一个2.5V~5.0V的阀值电压,有一个容性输入阻抗,因此IGBT对栅极电荷集聚很敏感。故驱动电路必须可靠,要保证有一条低阻抗值的放电回路,同时驱动电源的内阻一定要小,即栅极电容充放电速度要快,以保证VGE有较陡的前后沿,使IGBT的开关损耗尽量要小。

  在IGBT承受短路电流时,如果能及时关断它,则可以对IGBT进行有效保护。识别IGBT是否过流的方法之一,就是检测其管压降VCE的大小。IGBT在开通时,若VCE 过高则发生短路,需立即关断IGBT。在过流关断IGBT时,由于IGBT中电流幅度大,若快速关断时,必将产生Ldi/dt 过高,在IGBT两端产生很高的尖峰电压,极易损坏IGBT,因此就产生了“软慢关断”方法。M57962L驱动电路就是依照上述理论进行设计的。

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