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显然，igbt 是作为逆变器的开关元件应用到各个系统中的，常用的控制方法是pwm 法。理论上和事实上都已经证明，如果把pwm 逆变器的开关频率提高到20khz 以上，逆变器的噪声会更小，体积会更小，重量会更轻，输出电压波形会更加正弦化，可见，高频化是逆变技术发展方向【1】。但是通常的pwm 逆变器中，开关器件在高电压下导通，在大电流下关断，处于强迫开关过程，在高开关频率下运行时将受到如下一系列因素的限制:
igbt 为四层结构，使体内存在一个寄生晶闸管，等效电路如图4 所示。在npn 管的基极与发射极之间存在一个体区短路电rs，p 型体区的横向空穴流会产生一定的压降，对j3 来说相当于一个正偏置电压。在规定的范围内，这个正偏置电压不大，npn 管不会导通。当ic大于一定程度时，该正偏置电压足以使npn 管开通，进而使npn 和pnp 管处于饱和状态，于是寄生晶闸管开通，栅极失去控制作用，即擎住效应，它使ic 增大，造成过高的功耗，甚至导致器件损坏。温度升高会使得igbt 发生擎住的icm 严重下降【2】。在igbt 关断的动态过程中，如果dvce/dt 越高，则在j2 结中引起的位移电流cj2dvce/dt 越大，当该电流流过体区短路电阻rs 时，可产生足以使npn 晶体管开通的正向偏置电压，满足寄生晶闸管开通擎住的条件，形成动态擎住效应。温度升高会加重igbt 发生动态擎住效应的危险。