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解脱527

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伺服电机中开关器件特性

解脱527  发表于 2007/10/23 11:35:25      989 查看 5 回复  [上一主题]  [下一主题]

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传统的开关器件包括晶闸管(SCR)、电力晶体管(GTR)可关断晶闸管(GTO)、电力场效应晶体管(MOSFET)等。近年来,随着半导体制造技术和变流技术的发展,相继出现了绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)、场控晶闸管(MCT)等新型电力电子器件。 电力电子器件的性能要求是大容量、高频率、易驱动和低损耗。因此,评价器件品质因素的主要标准是容量、开关速度、驱动功率、通态压降、芯片利用率。目前,各类电力电子器件所达到的功能水平是: 普通晶闸管:12kV、lkA;4kV、3kA; 可关断晶闸管:9kV、lkA;4.5kV、4.5kA; 逆导晶闸管:4.5kV、lkA; 光触晶闸管:6kV、2.5kA;4kV、5kA 电力晶体管:单管1kV、200A;模块1.2kV、800A;1.8kV、100A; 场效应管:1kV、38A; 绝缘栅极双极型晶体管:1.2kV、400A;1.8kV、100A; 静电感应晶闸管(SITH):4.5kV、2.5kA; 场控晶闸管:1kV、100A;
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