AO4616采用先进的沟槽技术提供优秀的无线电数据系统（开）和低门电荷。这种互补的N和P通道MOSFET结构是低输入电压逆变器应用的理想选择。
AO4616参数：
商品目录：MOS(场效应管)：
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8A，7A
漏源电压（Vdss）：30V
栅源极阈值电压（最大值）：2.4V@250uA
漏源导通电阻（最大值）：20mΩ@8A，10V
类型：N和P沟道
功率耗散（最大值）：2W
封装：
绝对最大额定值Ta=25°C，除非另外指出:
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