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描述：双N沟道逻辑电平MOSFET高性能沟道技术；
AO8814这些微型表面场效应管使用高细胞密度海沟过程提供低rDS(上),以确保最小的功率损耗和热耗散。
典型的应用是直流-直流转换器,在便携和电源管理电池供电的产品,如电脑、打印机、PCMCIA卡,移动电话和无线电话。
rDS(上)提供了更高的效率和较低延长电池的寿命热阻抗低铜引线框架董事会TSSOP-8节省了空间切换速度快高性能沟技术笔记表面。安装在1x1”FR4板。
脉冲宽度限制最大结温
AO8814特性
VDS公司(V)=20V
ID=7.5(vg=10v)
RDS()<16m(vg=10v)
RDS()<18m(vg=4.5v)
RDS()<24m(vg=2.5v)
RDS()<34m(vg=1.8v)
AO8814防静电等级:2500vHBM
RθJA的价值是衡量与设备安装在12FR-4板2盎司。在静止空气环境中铜、T=25°C。
任何给定的应用程序的价值取决于用户的特定板设计。当前的评级是基于t≤10s热电阻评级。
重复的评级,脉冲宽度有限的结温。
RθJA热阻抗之和从结领导RθJL并导致环境。
d数字1到6的静态特征,12日,14日得到使用80s脉冲占空比0.5%max。
大肠这些测试执行与设备安装在12FR-4板2盎司。在静止空气环境中铜、T=25°C。
SOA曲线提供了一种单脉冲评级。