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产品型号：SI2312CDS-T1-GE3
商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C时）：6A（Tc）
漏源电压（Vdss）：20V
栅源极阈值电压（最大值）：1V@250uA
漏源导通电阻（最大值）：31.8mΩ@5A，4.5V
类型：N沟道
功率耗散（最大值）：1.25W，2.1W（Tc）
特性：
根据IEC61249-2-21无卤素
TrenchFETPowerMOSFET
100%Rg测试
符合RoHS指令2002/95/EC
应用程序：
DC/DC转换器
可移植应用程序的加载开关
绝对最大额定参数：
TA=25℃，除非另有说明
