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变频调速系统设计中的问题分析

liqiangfu  发表于 2007/11/16 20:19:50      649 查看 1 回复  [上一主题]  [下一主题]

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  变频技术是应交流电机无级调速的需要而诞生的。20世纪60年代后半期开始, 电力电子器件从SCR(晶闸管)、GTO(门极可关断晶闸管)、BJT(双极型功率晶体管)、MOSFET(金属氧化物场效应管)、SIT(静电感应晶体管)、SITH(静电感应晶闸管)、MGT(MOS控制晶体管)、MCT(MOS控制品闸管)发展到今天的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、HVIGBT(耐高压绝缘栅双极型晶闸管),器件的更新促使电力变换技术的不断发展。20世纪70年代开始,脉宽调制变压变频(PWM-VVVF)调速研究引起了人们的高度重视。20世纪80年代,作为变频技术核心的PWM模式优化问题吸引着人们的浓厚兴趣, 并得出诸多优化模式,其中以鞍形波PWM模式效果最佳。20世纪80年代后半期开始, 美、日、德、英等发达国家的VVVF变频器已投入市场并广泛应用。
2 变频调速系统的效率分析
2.1 变频器的效率与损耗
    变频器效率是指其本身变换效率。就变频器的两种形式而言。交-交变频器尽管效率较高,但调频范围受到限制,应用受到限制,目前通用的变频器主要是交-直-交型,其工作原理是先把工频交流电通过整流器变换成直流,然后用逆变器再变换成所需频率的交流电。所以变频器的损耗有三部分组成,整流损耗约占40%,逆变损耗约占50%,控制回路损耗占10%。其前两项损耗是随着变频器的容量、负荷、拓扑结构的不同而变化的,而控制回路损耗不随变频器容量、负荷而变化。变频器采用大功率自关断开关器件等现代电力电子技术,其整流损耗、逆变损耗等都比传统电子技术中整流损耗力量小,根据文献[1>提供资料,变频器在额定状态运行时,其效率为86.4%~96%,随着变频器功率增大而得以提高。
2.2 变频调速后电动机效率的变化
    变频调速后,电动机的各种损耗和效率均有所变化,根据电机学理论,电动机的损耗可分为铁芯损耗(包括磁滞损耗和涡流损耗)、轴承摩擦损耗、风阻损耗、定子绕组铜耗、转子绕组铜耗、杂散损耗等几种。
铁芯中的磁滞损耗表达式为:

    说明磁滞损耗Pn与磁通的交变频率f成正比,与磁通密度的幅值Bm的α次方成正比,α对于一般硅钢片,当Bm=0.8~1.6W/m2时,α=2。
    由风机和泵类理论,其流量Q与所需电动机轴功率P与转速n的关系为: Q∝n; P∝n3; P∝Q3
    变频调速后,磁滞损耗减少速度比电动机有功减少,速度慢,损耗所占比例有所提高。
    涡流损耗表达式为: Pe∝af2;式中a=(Bm)2d2/rw; Bm磁通密度的幅值Bm; d铁心厚度; rw涡流回路等效电阻。轴承摩擦损耗: Pz∝f1.5风阻损耗: Pf∝f3定子绕组铜耗和转子绕组铜耗其大小与电源频率f没有直接关系,但高次谐波及脉动电流增加了电动机的铜耗。
    杂散损耗及附加损耗:不论何种形式的变频器,变频后除基波外,都产生现谐波,这些附加的高次谐波,许多谐波的转矩方向是与基波转矩方向相反的,另外高次谐波也会增加涡流损耗。综上所述,变频调速后,电动机的磁滞损耗、涡流损耗、轴承摩擦损耗、定转子铜损及杂散损耗在功率中所占比例都有所增加,有关文献指出,变频调速后电动机电流增加10%,温升增加20%。
3 变频器控制方式的合理选用
    控制方式是决定变频器使用性能的关键所在。目前市场上低压通用变频器品牌很多,包括欧、美、日及国产的共约50多种。选用变频器时不要认为档次越高越好,其实只要按负载的特性,满足使用要求就可,以便做到量才使用、经济实惠。附表中参数供选用时参考。

4 转矩控制型变频器的选型及相关问题
    基于调速方便、节能、运行可靠的优点,变频调速器已逐渐替代传统的变极调速、电磁调速和调压调速方式。在推出PWM磁通矢量控制的变频器数年后,1998年末又出现采用DTC控制技术的变频器(直接转矩控制变频器)。ABB公司的ACS600系列是第一代采用DTC技术的变频器,它能够用开环方式对转速和转矩进行准确控制,而且动态和静态指标已优于PWM闭环控制指标。
    直接转矩控制它以测量电机电流和直流电压作为自适应电机模型的输入。该模型每隔25μs产生一组精确的转矩和磁通实际值,转矩比较器和磁通比较器将转矩和磁通的实际值与转矩和磁通的给定值的比较,给出其最佳开关位置。由此可以看出它是通过对转矩和磁通的测量,即刻调整逆变电路的开关状态,进而调整电机的转矩和磁通,以达到精确控制的目的。
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