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运算放大器的选择 3
binchen1120 发表于 2008/11/21 20:19:17 676 查看 0 回复 [上一主题] [下一主题]
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另外一种广泛使用的
还有一种不太常见但仍然有用的双极 JFET 工艺，它增加了掩膜步骤以创建 JFET。与 CMOS 晶体管类似，JFET 有低的输入偏流。较老的 JFET 器件（如美国国家半导体公司的 LF411 和 Analog Devices 公司的 AD549）在 CMOS 器件流行前就能提供低的偏流。德州仪器公司提供的现代 JFET 器件有低偏流，但速度仍很快。例如，TI 的 OPA656 带宽为 500 MHz。JFET 的输入电压噪声亦低于 CMOS，因为晶圆基材中的扩散掩盖了 JFET。与之相比，CMOS 晶体管位于裸芯的表面，这里它们受制于栅格缺陷和晶体杂质，这些都会产生噪声。同样，这种方案也包含一种均衡：用制造中的扩散控制 JFET 的参数。CMOS 晶体管的特性主要依赖于制造中的光刻。因此，CMOS 器件能做到更好的输入对匹配，降低了偏置电压，并减少了漂移。
当某个应用要求的速度超过双极器件可以提供的极限时，设计者可以转向 SiGe（硅锗）工艺。这些工艺在基极区有较高的电子迁移率、更薄的基极区，以及较高的射频电流密度，从而使运放带宽超过 1 GHz。这些器件消耗较多电流，并与所有其它的高速器件一样有稳定性问题。SiGe 工艺正被用于高速
其它工艺包括 GaAs（砷化镓）和 SOS（蓝宝石硅）。GaAs 工艺速度很快，并且有比 SiGe 更高的电子迁移率和更薄的基极区。GaAs 的缺点与硅不同，它使用了不容易形成的隔离氧化物。硅氧化物是玻璃，可以隔离不同的金属化层。GaAs 没有这种工艺特性，它追随硅工艺，但能制造工作在 10 GHz 以上的器件。当然价格和工作电流也较高。在 SOS 工艺技术中，介质隔离的晶体管速度快，与氧化物隔离绝缘的工艺一样。但由于晶体管之间隔离采用蓝宝石而不是玻璃，蓝宝石是水晶的导热率，与之相比，玻璃的导热率较低。因此，SOS 器件速度快，提供大量的功率输出。制造商可以用掩膜少于双极工艺的 CMOS 工艺流程进行制造。
附文2：专用
设计者通常会说，他们对运放的选择原则是使用主流放大器。现在有一些专用类型的放大器。最常见的是电流反馈放大器，它用于需要高转换速率的视频与 DSL（数字用户线）应用（图 A）。其它的独特好处是高增益不会减小带宽。如果一款放大器可以提供与较高带宽元件相同的增益，则它的失真也较低。因此，电流反馈放大器适用于需要高速和低失真的应用。
还有一种专用放大器是混合放大器，它内部使用分立晶体管或拥有多级放大器，即一种信号用多个放大器，而不是采用多个封装。例如，Cirrus Logic 的 CS3001 系列有 1 万亿（或 300 dB）的开环增益，这是其信号链中有一个以上放大器的确切标志。相位响应表明，这款器件是一种混合放大器，适用于仪器应用。巨大增益意味着低失真。