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浅谈断路器电容器介质损耗问题

yungg  发表于 2009/1/8 16:39:03      718 查看 0 回复  [上一主题]  [下一主题]

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摘 要:通过对断路器电容器特点及其损耗产生的分析,解释了断路器电容器常见的低场强下损耗角正切tanδ易于偏大以及随着时间的增加tanδ增长的现象,并提出解决措施。 
关键词:断路器电容器 损耗角正切tanδ 杂质 离子损耗 
     
    1 前言 

    断路器电容器(又称均压电容器),主要并联接于断路器的断口上,从而使各断口间的电压均匀。高压断路器的灭弧室常由几个断口串联而成,由于对地杂散电容C0常大于断口电容C1、C2,C1断口上承受绝大部分电压,电压是极不均匀的。 

    而在每个断口上并联了等容的均压电容Cs后,由于Cs>>C0>>C1、C2,所以分压比得到了很大的改善,n近似等于1(约1.02~1.05),使得断口间的电压分布均匀以利开断,并且避免在断口开断后因电压分布不均匀而造成损坏。 
   
    断路器电容器的基本结构与耦合电容器相似,通常采用瓷套外壳,元件全部串联,内部带补偿浸渍剂随运行温度变化而体积变化的金属波纹管。它的材料、工艺及质量与其它电容器基本相同,但断路器电容器常出现损耗角正切tanδ偏大的现象,而这种情况在其它类型电容器中却并不突出,因此,本文就断路器电容器 tanδ值偏大的原因以及一些改善的方法进行一些探讨。 

    2 断路器电容器损耗的产生及tanδ值易于偏大的原因  
  
    电容器浸渍剂中含有的杂质,尤其是离子杂质,影响着tanδ的大小。介质在电压作用下的能量损耗是由极化损耗(如偶极子极化,夹层介质界面极化等)和电导损耗引起的。由于目前电容器用浸渍剂均为弱极性液体介质(相对介电常数为2.2~2.6),极化损耗极小,因此,浸渍剂的损耗主要由电导损耗决定。 

    正常工作状态的液体介质中构成电导的因素主要有两种:一种由液体本身的分子和杂质的分子解离为离子,构成离子电导;另一种是液体中的胶体质点(如浸渍剂中悬浮的小水滴)吸附电荷后,形成带电质点,构成电泳电导。由于电容器采用真空浸渍工艺,边抽真空边注油,脱气、脱水效果可以得到保证。因此我们着重分析离子电导对断路器电容器损耗的影响。电容器元件极板间被各层固体介质(膜或电容器纸)分隔出若干个区域,浸渍剂中的离子充斥在各个区域内,当没有外电场时,正负离子杂乱无章地分布,并不消耗能量。当施加电压时,沿着电场方向,油中离子随电场方向的交替改变在狭窄的空间来回运动,产生损耗。 

    在工频电源下,当施加较低电压UA时,在一个周波内,离子从极板E出发,还未到达固体介质D,就随着电场交变又回到极板E。当升高电压到UB时,离子在一个周波中,刚好从极板E到固体介质D,又从D回E。此时损耗随电压的增加而增加。当电压仍然上升,由于带电粒子无法穿越介质层,到达E或D时受阻,只能在E与D狭小空间内来回运动,这时损耗不再增加,而无功功率Q随着电压的增加而增加,损耗角正切等于有功功率除以无功功率,因此tanδ随着电压的上升而下降。当电压超过额定电压继续上升,在高场强的作用下,液体中由于解离或碰撞电离等产生带电粒子增加使电导率变大,引起泄漏电流增大,发热增多,损耗的增加远大于无功功率的增长,从而tanδ值增加。在进一步的强电场下,除了电导损耗外,还有介质孔隙中气体电离所引起的损耗。当油分解出气体形成气泡,气泡中的场强Eg为油中场强Eo的εr倍,而气体的击穿场强比油低得多,所以气泡先开始电离,这又使气泡温度升高,体积膨胀,扩大气体通道,最后发生击穿, tanδ也就急剧地上升。在断路器电容器的使用或试验中,电压不会无限制地超过额定电压Un,因此图3中C区域并不为我们关注。 
   
    断路器电容器的额定电压一般为40~360kV,随着断路器断口开断能力提高,断路器电容器的额定电压不断增高,但用户很少有条件能在产品的额定工作电压下测量损耗,大多在10kV电压下测量,这时的tanδ值在图3中A区域,以上的分析提示我们低场强下tanδ值并不能真实地表明产品额定电压下运行时的 tanδ,它必大于额定电压时tanδ。 

    此外,断路器电容器的电容值特别小,也决定了它的tanδ值易于偏大。由于断路器电容器电气联接为元件全串(如110kV绝缘水平的产品元件个数约100~140个),电容值极小,因此断路器电容器的无功功率Q较小,当有功功率P稍有增加时,断路器电容器的损耗角正切将明显增大。 

    断路器电容器还有一个常见的现象,就是随着时间的增加,tanδ值逐渐变大。这是由于极性杂质的存在造成的。断路器电容器的金属波纹管、瓷套等零部件上附着的杂质以及装配过程中混入的杂质,这些杂质慢慢溶于或悬浮于液体中,尤其是橡胶垫圈,它的杂质溶解过程更加漫长。随着时间的推移,杂质由元件外部浸渍入元件介质间,在狭窄空间的杂质带电粒子不断增多,介质的损耗不断增加,使tanδ值越来越大。 

    3 解决措施 

      综合上述对断路器电容器损耗问题的分析,我们可以知道,增加产品清洁程度,最大限度地降低离子杂质含量可以改善tanδ较大以及随时间越变越大的问题,具体可采用:   
    
    ①加强金属波纹管等零部件的清洗,最好使用安全的有机溶剂。金属波纹管等含有的杂质如油污以及其它焊剂如松香等,极易溶于有机溶剂。国外曾采用三氯乙烯等有机溶剂,后因三氯乙烯有毒性,而改用三氯甲烷等有机剂来清洗零部件,使杂质无法残留在零部件表面上。 

    ②对密封垫圈可采用前处理方法。断路器电容器采用硅橡胶垫圈与盖子密封。而电容器油(二芳基乙烷、苄基甲苯等)本身就是有机溶剂,可将橡胶上的杂质(填充剂、颜料、润滑剂、硫化剂等)溶于油中,造成tanδ上升。国外有使用氟胶材料做密封垫圈,如杜邦公司Viton胶,效果非常好,但价格昂贵,无法接受。可采用前处理溶解方法,以二芳基乙烷为例,将成形的硅橡胶密封垫圈,在100°C热二芳基乙烷中预先处理10~12小时后使用,可以得到二芳基乙烷的tanδ上升接近零。 

    ③此外,在装配过程中应尽可能地减少杂质混入产品的可能。比如,在有油装配、无法戴手套时,操作者手中的汗水就有可能混入溶剂中,汗水中的离子杂质对介质损耗的影响比空调过滤的灰尘(SiO2、Al2O3等非离子)的影响要大得多。汗水这些不被人注意的杂质就有可能为产品tanδ的变大留下隐患。 

    桂林电力电容器总厂制造的JAM180-0.0012H型断路器电容器的tanδ与U的关系曲线,它验证了对断路器电容器损耗的分析,同时也表明桂林电力电容器总厂利用高压试验大厅的优势(750kV试验变压器,800kV标准电容器),可以在额定电压下进行电容器损耗的测量。同时,采用较先进的工艺水平及行之有效的措施,减少杂质含量,即使产品在低场强下的tanδ(0.066%)也远远低于国标规定在额定电压额定频率下tanδ≤2%的要求。

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