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在很多的电子电路中,为了减少后级电路对前级电路的影响和有些前级电路的输出要求有较强的带负载能力(即要求输出阻抗较低)时,要用到缓冲电路,从而达到增强电路的带负载能力和前后级阻抗匹配,晶体管射随器就是一种达到上述功能的缓冲电路。
晶体管射随电路实际上是晶体管共发电路,它是晶体三极管三大电路形式之一(共基电路、共集电路、共发电路),它的电路基本形式如图A1所示.
根据图A1的等效电路可知,发射极电流Ie=Ib+Ic又因为Ic=β*Ib(β是晶体管的直流放大系数)所以Ie=Ib+β*Ib=Ib(1+β),又根据电路回路电压定律:Vi=Ib(Rb+Rbe )+Ie*Re=Ib(Rb+Rbe)+Ib(1+β)Re(Rb是晶体管基极电阻,Rbe是基极与发射极之间的电阻,由于Rb和Rbe较少可忽略,那么Vi= Ib(1+β)Re,根据欧姆定律,电路的输入阻抗为Vi/Ib=Ib(1+β)Re/Ib=Re(1+β)。从此式可见电路的输入阻抗是Re的1+β倍，电路的输出阻抗等于Rc与Re的并联总阻抗.经上述分析得出结论：晶体管射随电路具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗。
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晶体管射随电路实际上是晶体管共发电路,它是晶体三极管三大电路形式之一(共基电路、共集电路、共发电路),它的电路基本形式如图A1所示.
根据图A1的等效电路可知,发射极电流Ie=Ib+Ic又因为Ic=β*Ib(β是晶体管的直流放大系数)所以Ie=Ib+β*Ib=Ib(1+β),又根据电路回路电压定律:Vi=Ib(Rb+Rbe )+Ie*Re=Ib(Rb+Rbe)+Ib(1+β)Re(Rb是晶体管基极电阻,Rbe是基极与发射极之间的电阻,由于Rb和Rbe较少可忽略,那么Vi= Ib(1+β)Re,根据欧姆定律,电路的输入阻抗为Vi/Ib=Ib(1+β)Re/Ib=Re(1+β)。从此式可见电路的输入阻抗是Re的1+β倍，电路的输出阻抗等于Rc与Re的并联总阻抗.经上述分析得出结论：晶体管射随电路具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗。