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可控硅加热方法

netwell  发表于 2009/7/28 15:45:10      883 查看 0 回复  [上一主题]  [下一主题]

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可控硅加热控制一般按可控硅工作方式分两种:

1.移相触发加热

可控硅导通角被调整,电压随之变化,从而调整加热功率;

2.过零触发加热

即通常所说的固态继电器,加热时,电压不变化,实际是脉冲通断信号。

一般来讲都选移相触发,但是,移相触发对电网的频率有干扰,大功率时表现较突出,不过一般工业场合无所谓,因为根据实际经验看来,只要不再加热器同侧使用示波器一类的对电网频率要求高精度的仪器都不会有什么事。而且,移相加热是动态降低电压,所以对延长加热元件寿命有好处。过零触发简单稳定,通常可以节省一块触发板。

可控硅的触发信号一般是0-5V或1-5V脉冲。不建议用S7-200的高速输出控制。

一般的做法是,选用温控模块,先将热电偶或热电阻的温度信号转入PLC,在PLC里经PID调节(程序不难作),输出4-20mA信号,4-20mA信号送进可控硅触发板,可控硅触发板控制可控硅加热功率。

注意,可控硅的选型要留有余量。国外厂商(岛电、三菱、欧陆、IXUS)通常会标注平均值电流,而国类厂商通常会标注有效值电流。平均值电流约等于有效值X0.6。而选型时须按平均值选型。

另外,加热元件的类型也很重要,一般铁络铝、镍络合金丝负载没什么问题,硅碳棒和感性负载选型时电流值应加倍。
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