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薄膜式锰铜传感器的超高压力标定

vankingwh  发表于 2010/8/4 11:02:29      762 查看 0 回复  [上一主题]  [下一主题]

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引言
 现有的锤铜传感器通常采用箔式结构,有机材料封装(如PTFE、PI等)。由于聚合物在数十GPa的高压下绝缘性能急剧退化,形成旁路,限制了锺铜计测压上限的提高[1]。Al203、MgO、溶融石英等无机材料[2]与囊合物相比,具有更好的高压绝缘性能,是一种理想的封装材料。但在通常的销式结构中,由于必须使用树脂进行粘接,其有效量程限于20GPa以下。
 本文尝试用薄膜技术对传统的箱式锺铜计进行改进,实现了锤铜敏感元件在Al2O3基体内的无胶封装。在压力高达107GPa的冲击加载条件下,未观察到明显的旁路存在。初步标定曲线近拟于一条直线,压阻系数为0.0198±0.0002GPa-1。以上结果验证了该种薄膜锰铜对100GPa以上超高压力进行直接测量的可监听性。
2 实验
 薄膜式锺铜传感器的制作分为两步:首先在经抛光处理的0.6~0.8mm厚的96%Al203基板上用磁控溅射法沉积锤铜薄膜[3]和铜电极。其中锺铜薄膜为直条形,尺寸为5.4×1mm,厚度约为3.2μm。铜电极为四引线单端引出π型,厚度约为4.1μm。
 第二步为封装层的制备。采用电子束蒸发法在敏感元件上沉积Al203薄膜,蒸发原料同样选用96%Al203陶瓷。试验中分别沉积了4.8、10.4和18μm三种膜厚以进行比较。
 利用中国工程物理研究院流体物理研究所的一台φ35mm口径的二级轻气炮,对上述传感器进行了高压加载测试。试验中,锺铜计采用后置式结构,即把传感器夹在铜靶板和一块厚约8mm的96%Al203陶程之间。
3 结果与讨论
 表1列出了最初四次试验的结果。其中陶瓷的密度3.58g/cm3由阿基米德定律测出,其雨贡纽参数采用文献[4]给出的数据:C0=7.44km/s,λ=1.15。

表1  冲击加载测试结果

图1 锰铜计记录的典型应力波形图(试验20-71)

试验20-71所得应力波形如图1所示。尽管Cu靶中的应力高达107GPa,压阻信号在B点到C点之间呈现出一个较完好的平台,没有出现大幅度的衰减,说明无明显的旁路存在。试验中同时安装了两个传感器,二者的压阻系数相差不到3%,寿命,响应时间等指标上基本雷同,表现出良好的重复性。
 图1中,Al203薄膜封装层的厚度为10.4μm,传感器完整地记录下了加载和卸载的全过程。而在试验20-70中,尽管压力低一些,但由于Al203薄膜的厚度只有4.8μm,所得波形在卸载完毕前已呈开路状态。可见,为保障传感器具有足够长的寿命,绝缘封装层应厚一些为好。
 由以上试验结果得到如图2所示的标定曲线。该曲线近似为一直线,压阻系数为0.0198±0.002GPa-1,比Safa等人[5]和施尚春等人[6]研制的薄膜锺铜计的压阻系数0.0106GPa-l高出近1倍。这些薄膜锺铜计皆采用在位式结构,其中Safa等人的传感器所测的最高压力仅为1.2GPa。而施尚春等人虽进行了5~56GPa的标定,但其传感器的一面采用胶粘PTFE进行封装,并没有根除高压旁路效应。

采用最小二乘法对表1中的数据进行多项式拟合,得标定公式为:
 p(GPa)=6.0371+29.819(ΔR/R0)+21.591(ΔR/R0)2-6.8267(ΔR/R0)3
4 结论
 本文研究的薄膜式锺铜传感器,由于采用Al203封装,后置式结构,杜绝了高压旁路效应,将传感器的高压础上限拓展到100GPa以上。同时,传感器还具有响应快、灵敏高、一致性好等特点,为人们对超高压力进行直接测量提供了有力的分析手段。

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