STD30NF06LT4这种功率MOSFET是STMicroelectronics独有的“单极”的最新发展。

　　STD30NF06LT4特征：

　　尺寸条形工艺。产生的晶体管

　　显示的包装密度非常高

　　低导通电阻，崎岖的雪崩特性

　　以及不太关键的校准步骤，因此

　　制造再现性

　　STD30NF06LT4应用：

　　高效DC-DC变换器

　　电机控制、音频放大器

　　DC-DC和DC-AC转换器

　　汽车

　　内部原理图：

　　绝对最大额定值：

　　漏源电压（Vgs=0）：60V

　　漏极电压（Rgs=20kΩ）：60V

　　栅源电压：±20V

　　Tc=25℃时的漏电流（连续）：35A

　　Tc=100℃时的漏电流（连续）：25A

　　漏电流（脉冲）：140A

　　Tc=25℃总功耗：70W

　　降额系数：0.46W/℃。

　　峰值二极管恢复电压斜率：25V/ns

　　储存温度：–55至175℃

　　工作结温度：–55至175℃

　　雪崩特征：

　　电气特性（除非另有规定，否则TCase=25°C）：

　　关闭

　　打开

　　动态的

　　STD30NF06LT4产品详情由我司提供，如想了购买产品，请来维库进行锁货，保证原装正品IC，顺丰发货。