STD5N20LT4描述：N沟道200V-0.65ヘ-5ADPAKSTripFET；典型RDS()=0.65@5v，传导损失减少，低投入CAPACIATNCE，低阈值的设备；

    STD5N20LT4描述

    STD5N20L利用最新的先进的设计

    圣的专有规则STripFET?技术。

    这是适合要求最高的

    电机控制和照明应用。

    STD5N20LT4应用程序

    UPS和运动控制

    照明

    STD5N20LT4的规格信息

    系列STripFET

    FET类型N沟道

    技术MOSFET（金属氧化物）

    电流-连续漏极（Id）（25°C时）5A（Tc）

    驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）5V

    不同Id时的Vgs（th）（最大值）2.5V@50?A

    不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）6nC@5V

    不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）242pF@25V

    Vgs（最大值）±20V

    功率耗散（最大值）33W（Tc）

    不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）700毫欧@2.5A，5V

    工作温度-55°C~150°C（TJ）

    安装类型表面贴装

    封装/外壳TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63

    封装形式PackageDPAK

    极性PolarityN-CH

    漏源极击穿电压VDSS200V

    连续漏极电流ID5A

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