超低导通电阻IRFR5305TRPBF描述

    从国际整流器使用第五代HEXFETs先进的加工技术,实现极低导通电阻/硅区域。这个好处,结合快速转换的速度和加固的设备设计HEXFET功率mosfet是众所周知的,提供设计师非常有效和可靠的设备用于各种各样的应用程序。

    D-Pak设计用于表面安装使用蒸汽阶段、红外或波峰焊接技术。直铅对通孔安装版本(IRFU系列)应用程序。功耗水平1.5瓦特在典型的表面安装的应用程序。

    IRFR5305TRPBF特征

    超低导通电阻

    表面山(IRFR5305)

    直接领导(IRFU5305)

    先进的工艺技术

    快速切换

    完全雪崩额定

    无铅

    二极管峰值复苏dv/dt测试电路

    IRFR5305TRPBF注:

    1.控制维度:毫米。

    2.所有尺寸是毫米(英寸)所示。

    3.大纲符合eia-481&eia-541。