产品型号：SI2312CDS-T1-GE3

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：6A（Tc）

　　漏源电压（Vdss）：20V

　　栅源极阈值电压（最大值）：1V@250uA

　　漏源导通电阻（最大值）：31.8mΩ@5A，4.5V

　　类型：N沟道

　　功率耗散（最大值）：1.25W，2.1W（Tc）

　　特性：

　　根据IEC61249-2-21无卤素

　　TrenchFETPowerMOSFET

　　100%Rg测试

　　符合RoHS指令2002/95/EC

　　应用程序：

　　DC/DC转换器

　　可移植应用程序的加载开关

　　绝对最大额定参数：

　　TA=25℃，除非另有说明