大功率低容值瞬变二极管阵列
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LC Series 18 V 1800 W SMT Low Capacitance TVS for High Speed Interface - SOIC-8

可以保护连接到高频成分从电压高速数据通信线路浪涌引起的雷电，静电放电（ESD），电快速瞬变（EFT）。

适用于：低压接口?T3／E ?10/100 /1000以太网?机顶盒?ISDN接口，低工作电压3.3V大大减少发热带来的影响，高功率使数据传输更便捷，其内部结构特殊（详见下方电路图）

LC03-3.3电特性（Features）：

1、高速接口的低电容。

2、超低漏：nA水平。

3、低工作电压：3.3V。

4、超低的箝位电压。

5、保护两线的共模和差模

6、jedec SO - 8封装

7、符合以下标准：

IEC61000-4-2（ESD）静电试验

空气放电: ±30Kv

接触放电: ±30kV 

IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)

IEC61000-4-5 (Lightning) 100A (8/20μs)

符合rohs标准

大功率低容值瞬变二极管阵列
TVS  LC03-6.TBT参数

电压, Vrwm: 6V

击穿电压范围: 6.8V

钳位电压 大: 20V

峰值脉冲电流: 100A

封装形式: SOIC

针脚数: 8

二极管类型: TVS

击穿电压: 6.8V

击穿电压 小: 6.8V 
封装类型: SOIC

工作温度范围:-55°C到 +125°C

截止电压: 6V

电容, Cd典型值 @ Vr: 8pF