传统的开关器件包括晶闸管（SCR）、电力晶体管（GTR）可关断晶闸管（GTO）、电力场效应晶体管（MOSFET）等。近年来，随着半导体制造技术和变流技术的发展，相继出现了绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）、场控晶闸管（MCT）等新型电力电子器件。 电力电子器件的性能要求是大容量、高频率、易驱动和低损耗。因此，评价器件品质因素的主要标准是容量、开关速度、驱动功率、通态压降、芯片利用率。目前，各类电力电子器件所达到的功能水平是： 普通晶闸管：12kV、lkA；4kV、3kA； 可关断晶闸管：9kV、lkA；4.5kV、4.5kA； 逆导晶闸管：4.5kV、lkA； 光触晶闸管：6kV、2.5kA；4kV、5kA 电力晶体管：单管1kV、200A；模块1.2kV、800A；1.8kV、100A； 场效应管：1kV、38A； 绝缘栅极双极型晶体管：1.2kV、400A；1.8kV、100A； 静电感应晶闸管(SITH)：4.5kV、2.5kA； 场控晶闸管：1kV、100A；
