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STD30NF06LT4这种功率MOSFET是STMicroelectronics独有的“单极”的最新发展。
STD30NF06LT4特征：
尺寸条形工艺。产生的晶体管
显示的包装密度非常高
低导通电阻，崎岖的雪崩特性
以及不太关键的校准步骤，因此
制造再现性
STD30NF06LT4应用：
高效DC-DC变换器
电机控制、音频放大器
DC-DC和DC-AC转换器
汽车
内部原理图：
绝对最大额定值：
漏源电压（Vgs=0）：60V
漏极电压（Rgs=20kΩ）：60V
栅源电压：±20V
Tc=25℃时的漏电流（连续）：35A
Tc=100℃时的漏电流（连续）：25A
漏电流（脉冲）：140A
Tc=25℃总功耗：70W
降额系数：0.46W/℃。
峰值二极管恢复电压斜率：25V/ns
储存温度：–55至175℃
工作结温度：–55至175℃
雪崩特征：
电气特性（除非另有规定，否则TCase=25°C）：
关闭
打开
动态的
STD30NF06LT4产品详情由我司提供，如想了购买产品，请来维库进行锁货，保证原装正品IC，顺丰发货。