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一.手机电路简介
现代数字移动电话的智能化越来越高,而其体积、重量则不断降低,使本已很复杂的“手机”设计又造成巨大压力。作为TVS的供应商，在技术上我们应给予大力支持，把最新型、体积最小、功能齐全的TVS组合芯片介绍给广大用户。
数字移动电话的电路基本由射频/数字信号处理/终端接口/电源管理等部分组成,其中:
*射频电路包括:接收器.发送器.频率合成器和功放。
*数字信号处理包括:数字信息处理和信号控制器。
*终端接口包括:液晶显示/背光电路;键盘/键盘背光电路;SIM卡的CPU读卡电路;耳机/麦克风/振铃电路;数据接口;数字接口等。
*电源管理电路包括:用低压差线性稳压器{LDO}分别为功放/RF和模拟电路/DSP及其它数字电路/LCD供电等。
二.手机电路中需要进行“浪涌冲击”防护的部位有：
1. SIM卡的CPU读卡电路;
2. 键盘电路;
3. 耳机.麦克风电路;
4. 数据接口;
5. 电源接口;
6. 数字接口{USB};
7. 彩屏LCD驱动接口;
8. LCD背光电路。[LCD背光电路在制造时已经采取了TVS保护措施]
三.手机的“电磁兼容”{EMC}的试验和测试内容有：
1. 静电放电抗扰度测试;
2. 电磁辐射骚扰抗扰度测试;
3. 电快速瞬变脉冲群抗扰度测试;
4. 共模/差模浪涌冲击抗扰度测试;
5. 射频场感应的传导骚扰抗扰度测试;
6. 电压暂降和短时中断抗扰度测试。
EMC的测试和审核是保障受试产品不受“电磁干扰”或产生“电磁干扰”,抑制静电放电[ESD].电快速瞬变脉冲群[EFT]和共模/差模浪涌冲击[SURGE]均需要使用TVS做防护。
*EMC测试:
[1].抗瞬态骚扰的性能判据
1).试验时,手机应建立并保持“通信连接”;
2).试验后手机应能正常工作,不能发生用户可察觉的通信质量降低.控制功能丧失或存储数据丢失,并继续保持通信连接。
[2].试验
1.{ESD}静电放电抗扰度试验
*对于”接触放电”应能通过±2KV和±4KV的试验等级;
*对于”空气放电”应能通过±2KV. ±4KV和±8KV的试验等级。
2.{EFT}电快速瞬变脉冲群抗扰度试验
*信号/通信/控制端口的试验电平为开路电压0.5KV;
*DC电源输入端口的试验电平为开路电压1KV;
*AC电源输入端口的试验电平为开路电压2KV。
3.{Surge}浪涌[冲击]抗扰度试验
*通信端口的线对地,试验电压为开路电压0.5KV;
*AC电源端口的线对地,试验电压为开路电压1KV;
*AC电源端口的线对线,试验电压为开路0.5KV。
#在手机的测试和审核时主要是测试手机每个端口对ESD骚扰的防护能力。
四.瞬态电压抑制器{简称:TVS}的嵌位特性
瞬态电压抑制器,英文:TransientVoltageSuppressor简称:TVS。
TVS的特性曲线中有”关断电压”[Vwm].雪崩电压{也称:起控电压}[Vbr]和嵌位电压[Vc],关断时TVS呈开路状态.选用TVS时”关断电压”要略大于电路的工作电压,当浪涌冲击电路时TVS会进入”起控点”此时TVS产生”雪崩”其内阻开始变小,浪涌电流通过这个内阻开始分流直至达到”嵌位电压”将浪涌电流全部分流从而保护电路不受侵害。
TVS响应速度快[1ns].通流量大[数十安培].极间电容小[Pf].浪涌冲击后自行恢复,由于是多路组合的芯片.体积小,便于PCB板的有效接地利于电路板设计,是理想的防护器件。
① 条件：Rg﹥Rs+Rload﹥RS
② Voutput=VBR + Rs*Vg/Rg : (IEC61000-4-2的标准)
1) Vg=8KV 2)Rg=330Ω 3)PSOT05的Rs=0.14Ω 4)PSOT05的VBR=6V
③ Voutput＝10V (PSOT05)
五.手机电路的TVS应用
1.SIM卡的CPU读卡电路的浪涌防护
(1)ESD防护应用器件型号:SRV05-4 [SOT-23封装]
(2).器件特色:ESD 保护大于40KV
(3).SRV05-4用来保护“电源”/复位/时钟/数据免受“静电放电”骚扰。
(4).工作特性:
功率耐量[Ppp]:500W; 最大耐流量[Ipp]:43A; 关断电压[Vwm]:5V;
起控电压[Vbr]:6V; 漏电流[Id]:小于5μA; 极间电容[C]:小于3.5Pf。
(5).浪涌防护的工作原理:
1).Vcc直接通过TVS进行浪涌防护,当Vcc有浪涌骚扰时TVS会将其嵌位;
2).时钟信号/数据信号分别接到由”高速控制二极管”组成的”桥式”检波电路的输入端,浪涌电压经检波后由TVS进行嵌位,从而保护了时钟/数据的正常工作;复位/编程的ESD保护是同样的原理;
3).对于ESD骚扰无论是正还是负都必需流过”桥”的一个控制管和TVS,这两者是串联关系,串联之和就是”极间电容”小于3.5Pf,因此避免了对信号的分流或造成畸变,漏电流小于5μA不会对功耗产生影响,由于是一个完整的保护电路使用起来非常方便。
*SRV05-4共两个“桥”可保护四条I/O线。
2.键盘电路的浪涌防护
为保障“键盘驱动电路”免受ESD,EFT侵害，键盘控制电路的每一行.每一列都需要接一个TVS做保护,由于频率不高所以对TVS的极间电容要求不严,可以选用标准电容的”双向”TVS做全方位的保护。
(1).ESD防护应用器件型号: * ULC0524P [倒装芯片]
SD**C [SOD323]
(2).器件特色: 双向TVS可全方位保护,ESD保护大于15000V;
*体积非常小。
(3).作用:用来泄放键盘上的ESD使”键盘驱动器”可靠工作。
(4).工作特性:
3.耳机/麦克风电路的浪涌防护
为保障“多模转换器”免受ESD.EFT的侵害,防止麦克风和耳机导线引入高频干扰实现高质量的语音通信,在耳机/麦克风电路采用有EMI抑制功能的TVS,它既能泄放麦克风/耳机以及手持听筒上的静电又有一个RCp型低通滤波器很高的通频带可抑制各种干扰从而保证语音的高质量。
(1).EMI抑制和ESD防护应用器件型号: LC05CD
(2).器件特色: 超小型;有两路EMI抑制滤波器的TVS,ESD保护大于15000V。
(3).作用: 泄放静电; 抑制0-200Mhz通频带内的各种干扰噪声。
(4).工作特性:
4．数据接口的浪涌防护
用于存放手机的机身号码.锁急码.电话号码薄及其它设置的“数据接口”与微处理器和存储器连接为保障微处理器/存储器免受ESD.EFT骚扰需在“数据接口”使用TVS泄放静电使微处理器/存储器可靠工作。
(1).ESD防护应用器件型号: LC0504D6 ,SM712,LC**CI
(2).器件特色: 超小型封装,单向5个TVS组合芯片,ESD保护大于15000V。
(3).器件作用: 泄放“数据接口”所感应的静电.保障微处理器的可靠工作。
(4).工作特性:
5.电源接口的浪涌防护
为防止ESD.EFT对“电源接口”的骚扰和电源导线引入的杂散高频干扰,在“电源接口”或“外部连接器”的电源输入端口施加TVS进行防护。
图五是共模/差模都有保护能力的ESD防护电路,使用PSOT05C即可有效地保护电源接口免受ESD侵扰。
(1).ESD防护.应用器件型号: LC05CD[SOT-23封装]
SD05C [SOD-323封装]
(2).器件特色: 超小型封装,单向TVS和双向TVS。
(3).器件作用: 泄放“电源接口”所感应的静电并滤除杂散高频干扰信号。
(4).工作特性:
6．数字接口{USB}的浪涌防护
手机的USB{通用串行总线}接口有两条数据线由于数据传输速率很高可以连接到任何一台具备USB接口的PC机上传送数据,为防止ESD.EFT的骚扰和噪声干扰需要用TVS进行防护。
(1).ESD防护应用器件型号: SR05 [SOT-143封装]
(2).器件特色: 器件由一个桥式电路和一个TVS组成,“桥”由高速控制二极管制造.共有两个输入端和两个输出端,在输出端接有TVS是一个超小型的组合芯片电路,当ESD骚扰时无论是正还是负都会通过“桥”的一个控制二极管反应在输出端，由TVS进行嵌位。而连接”数据线”对地的ESD防护是由一个控制二极管和TVS串联组成,它的响应速度极快.极间电容很小,所以是理想的保护模式。
(3).器件作用:有效 泄放ESD.EFT,滤除各种杂散干扰。
(4).工作特性： SR05
功率耐量[Ppp]： 500W
最大耐流量[Ipp]： 28A
关断电压[Vwm]： 5V
起控电压[Vbr]： 6V
漏电流[Id]： 5mA
极间电容[C]： 10Pf
7．彩屏LCD驱动接口的噪声干扰/ESD防护
彩屏LCD驱动的数据线其数据传输速率很高容易被各种“噪声”所干扰造成图像质量下降,为此需要在数据线上采用有EMI抑制能力的TVS进行滤波和ESD防护以保障彩色图像的高质量。
(1).EMI抑制和ESD防护应用器件:EMIF01-100 [SC-70封装]
EMIF01-150 [SC-70封装]
STF701 [SC-70封装]
EMIF4100 [倒装芯片]
EMIF6-100FC [倒装芯片]
(2).器件特色: 芯片由RC组成p型低通滤波器,C由TVS的极间电容提供其通频带达200Mhz,TVS除为p型滤波器提供所需电容外还对ESD有泄放功能,最多可将六路p型滤波器集成在一个倒装芯片上,还有四路和两路的可供选择,体积很小适合彩屏LCD驱动接口使用。
(3).器件作用:滤除噪声干扰/ESD防护。
(4).工作特性: EMIF4100 EMIF6-100FC
功率耐量[Ppp]: 400Mw 100Mw
关断电压[Vwm]: 5V 5V
起控电压[Vbr]: 6V 6V
漏电流[Id]: 0.1mA 0.1mA
通频带{-3db}: 132Mhz 60Mhz
插入损耗: 6db 6db
特别提示:
EMIF4100.EMIF6-100FC有6db的插入损耗在电路设计时需给予有效补偿。
一.手机电路简介
现代数字移动电话的智能化越来越高,而其体积、重量则不断降低,使本已很复杂的“手机”设计又造成巨大压力。作为TVS的供应商，在技术上我们应给予大力支持，把最新型、体积最小、功能齐全的TVS组合芯片介绍给广大用户。
数字移动电话的电路基本由射频/数字信号处理/终端接口/电源管理等部分组成,其中:
*射频电路包括:接收器.发送器.频率合成器和功放。
*数字信号处理包括:数字信息处理和信号控制器。
*终端接口包括:液晶显示/背光电路;键盘/键盘背光电路;SIM卡的CPU读卡电路;耳机/麦克风/振铃电路;数据接口;数字接口等。
*电源管理电路包括:用低压差线性稳压器{LDO}分别为功放/RF和模拟电路/DSP及其它数字电路/LCD供电等。
二.手机电路中需要进行“浪涌冲击”防护的部位有：
1. SIM卡的CPU读卡电路;
2. 键盘电路;
3. 耳机.麦克风电路;
4. 数据接口;
5. 电源接口;
6. 数字接口{USB};
7. 彩屏LCD驱动接口;
8. LCD背光电路。[LCD背光电路在制造时已经采取了TVS保护措施]
三.手机的“电磁兼容”{EMC}的试验和测试内容有：
1. 静电放电抗扰度测试;
2. 电磁辐射骚扰抗扰度测试;
3. 电快速瞬变脉冲群抗扰度测试;
4. 共模/差模浪涌冲击抗扰度测试;
5. 射频场感应的传导骚扰抗扰度测试;
6. 电压暂降和短时中断抗扰度测试。
EMC的测试和审核是保障受试产品不受“电磁干扰”或产生“电磁干扰”,抑制静电放电[ESD].电快速瞬变脉冲群[EFT]和共模/差模浪涌冲击[SURGE]均需要使用TVS做防护。
*EMC测试:
[1].抗瞬态骚扰的性能判据
1).试验时,手机应建立并保持“通信连接”;
2).试验后手机应能正常工作,不能发生用户可察觉的通信质量降低.控制功能丧失或存储数据丢失,并继续保持通信连接。
[2].试验
1.{ESD}静电放电抗扰度试验
*对于”接触放电”应能通过±2KV和±4KV的试验等级;
*对于”空气放电”应能通过±2KV. ±4KV和±8KV的试验等级。
2.{EFT}电快速瞬变脉冲群抗扰度试验
*信号/通信/控制端口的试验电平为开路电压0.5KV;
*DC电源输入端口的试验电平为开路电压1KV;
*AC电源输入端口的试验电平为开路电压2KV。
3.{Surge}浪涌[冲击]抗扰度试验
*通信端口的线对地,试验电压为开路电压0.5KV;
*AC电源端口的线对地,试验电压为开路电压1KV;
*AC电源端口的线对线,试验电压为开路0.5KV。
#在手机的测试和审核时主要是测试手机每个端口对ESD骚扰的防护能力。
四.瞬态电压抑制器{简称:TVS}的嵌位特性
瞬态电压抑制器,英文:TransientVoltageSuppressor简称:TVS。
TVS的特性曲线中有”关断电压”[Vwm].雪崩电压{也称:起控电压}[Vbr]和嵌位电压[Vc],关断时TVS呈开路状态.选用TVS时”关断电压”要略大于电路的工作电压,当浪涌冲击电路时TVS会进入”起控点”此时TVS产生”雪崩”其内阻开始变小,浪涌电流通过这个内阻开始分流直至达到”嵌位电压”将浪涌电流全部分流从而保护电路不受侵害。
TVS响应速度快[1ns].通流量大[数十安培].极间电容小[Pf].浪涌冲击后自行恢复,由于是多路组合的芯片.体积小,便于PCB板的有效接地利于电路板设计,是理想的防护器件。
① 条件：Rg﹥Rs+Rload﹥RS
② Voutput=VBR + Rs*Vg/Rg : (IEC61000-4-2的标准)
1) Vg=8KV 2)Rg=330Ω 3)PSOT05的Rs=0.14Ω 4)PSOT05的VBR=6V
③ Voutput＝10V (PSOT05)
五.手机电路的TVS应用
1.SIM卡的CPU读卡电路的浪涌防护
(1)ESD防护应用器件型号:SRV05-4 [SOT-23封装]
(2).器件特色:ESD 保护大于40KV
(3).SRV05-4用来保护“电源”/复位/时钟/数据免受“静电放电”骚扰。
(4).工作特性:
功率耐量[Ppp]:500W; 最大耐流量[Ipp]:43A; 关断电压[Vwm]:5V;
起控电压[Vbr]:6V; 漏电流[Id]:小于5μA; 极间电容[C]:小于3.5Pf。
(5).浪涌防护的工作原理:
1).Vcc直接通过TVS进行浪涌防护,当Vcc有浪涌骚扰时TVS会将其嵌位;
2).时钟信号/数据信号分别接到由”高速控制二极管”组成的”桥式”检波电路的输入端,浪涌电压经检波后由TVS进行嵌位,从而保护了时钟/数据的正常工作;复位/编程的ESD保护是同样的原理;
3).对于ESD骚扰无论是正还是负都必需流过”桥”的一个控制管和TVS,这两者是串联关系,串联之和就是”极间电容”小于3.5Pf,因此避免了对信号的分流或造成畸变,漏电流小于5μA不会对功耗产生影响,由于是一个完整的保护电路使用起来非常方便。
*SRV05-4共两个“桥”可保护四条I/O线。
2.键盘电路的浪涌防护
为保障“键盘驱动电路”免受ESD,EFT侵害，键盘控制电路的每一行.每一列都需要接一个TVS做保护,由于频率不高所以对TVS的极间电容要求不严,可以选用标准电容的”双向”TVS做全方位的保护。
(1).ESD防护应用器件型号: * ULC0524P [倒装芯片]
SD**C [SOD323]
(2).器件特色: 双向TVS可全方位保护,ESD保护大于15000V;
*体积非常小。
(3).作用:用来泄放键盘上的ESD使”键盘驱动器”可靠工作。
(4).工作特性:
3.耳机/麦克风电路的浪涌防护
为保障“多模转换器”免受ESD.EFT的侵害,防止麦克风和耳机导线引入高频干扰实现高质量的语音通信,在耳机/麦克风电路采用有EMI抑制功能的TVS,它既能泄放麦克风/耳机以及手持听筒上的静电又有一个RCp型低通滤波器很高的通频带可抑制各种干扰从而保证语音的高质量。
(1).EMI抑制和ESD防护应用器件型号: LC05CD
(2).器件特色: 超小型;有两路EMI抑制滤波器的TVS,ESD保护大于15000V。
(3).作用: 泄放静电; 抑制0-200Mhz通频带内的各种干扰噪声。
(4).工作特性:
4．数据接口的浪涌防护
用于存放手机的机身号码.锁急码.电话号码薄及其它设置的“数据接口”与微处理器和存储器连接为保障微处理器/存储器免受ESD.EFT骚扰需在“数据接口”使用TVS泄放静电使微处理器/存储器可靠工作。
(1).ESD防护应用器件型号: LC0504D6 ,SM712,LC**CI
(2).器件特色: 超小型封装,单向5个TVS组合芯片,ESD保护大于15000V。
(3).器件作用: 泄放“数据接口”所感应的静电.保障微处理器的可靠工作。
(4).工作特性:
5.电源接口的浪涌防护
为防止ESD.EFT对“电源接口”的骚扰和电源导线引入的杂散高频干扰,在“电源接口”或“外部连接器”的电源输入端口施加TVS进行防护。
图五是共模/差模都有保护能力的ESD防护电路,使用PSOT05C即可有效地保护电源接口免受ESD侵扰。
(1).ESD防护.应用器件型号: LC05CD[SOT-23封装]
SD05C [SOD-323封装]
(2).器件特色: 超小型封装,单向TVS和双向TVS。
(3).器件作用: 泄放“电源接口”所感应的静电并滤除杂散高频干扰信号。
(4).工作特性:
6．数字接口{USB}的浪涌防护
手机的USB{通用串行总线}接口有两条数据线由于数据传输速率很高可以连接到任何一台具备USB接口的PC机上传送数据,为防止ESD.EFT的骚扰和噪声干扰需要用TVS进行防护。
(1).ESD防护应用器件型号: SR05 [SOT-143封装]
(2).器件特色: 器件由一个桥式电路和一个TVS组成,“桥”由高速控制二极管制造.共有两个输入端和两个输出端,在输出端接有TVS是一个超小型的组合芯片电路,当ESD骚扰时无论是正还是负都会通过“桥”的一个控制二极管反应在输出端，由TVS进行嵌位。而连接”数据线”对地的ESD防护是由一个控制二极管和TVS串联组成,它的响应速度极快.极间电容很小,所以是理想的保护模式。
(3).器件作用:有效 泄放ESD.EFT,滤除各种杂散干扰。
(4).工作特性： SR05
功率耐量[Ppp]： 500W
最大耐流量[Ipp]： 28A
关断电压[Vwm]： 5V
起控电压[Vbr]： 6V
漏电流[Id]： 5mA
极间电容[C]： 10Pf
7．彩屏LCD驱动接口的噪声干扰/ESD防护
彩屏LCD驱动的数据线其数据传输速率很高容易被各种“噪声”所干扰造成图像质量下降,为此需要在数据线上采用有EMI抑制能力的TVS进行滤波和ESD防护以保障彩色图像的高质量。
(1).EMI抑制和ESD防护应用器件:EMIF01-100 [SC-70封装]
EMIF01-150 [SC-70封装]
STF701 [SC-70封装]
EMIF4100 [倒装芯片]
EMIF6-100FC [倒装芯片]
(2).器件特色: 芯片由RC组成p型低通滤波器,C由TVS的极间电容提供其通频带达200Mhz,TVS除为p型滤波器提供所需电容外还对ESD有泄放功能,最多可将六路p型滤波器集成在一个倒装芯片上,还有四路和两路的可供选择,体积很小适合彩屏LCD驱动接口使用。
(3).器件作用:滤除噪声干扰/ESD防护。
(4).工作特性: EMIF4100 EMIF6-100FC
功率耐量[Ppp]: 400Mw 100Mw
关断电压[Vwm]: 5V 5V
起控电压[Vbr]: 6V 6V
漏电流[Id]: 0.1mA 0.1mA
通频带{-3db}: 132Mhz 60Mhz
插入损耗: 6db 6db
特别提示:
EMIF4100.EMIF6-100FC有6db的插入损耗在电路设计时需给予有效补偿。