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铁电存储器（FRAM）介绍
binchen1120 发表于 2008/11/23 14:43:41 1297 查看 0 回复 [上一主题] [下一主题]
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没有电源的情况下保存数据。FRAM 有和SRAM加后备电池模组一样的快速读写数据和低功
耗，但又不需要电池。EEPROM 和 Flash写入数据需要很长时间的 ，擦写次数低, 写数
据功耗大。FRAM 写入数据无延时, 相当于无限的擦写次数, 低功耗写操作。
Ramtron's FRAM 记忆体技术的核心是 微小的铁电晶体集成到记忆体单元，以至于它能
象快速的非易失性RAM一样操作。 当一个电场被加到铁电晶体，中心原子顺着电场的方
向移动内部电路感觉到原子移动。 移去电场，中心原保持不动，保存记忆体的状态，
FRAM 记忆体不需要定期刷新，掉电后立即保存数据。
铁电存储器（FRAM）的特点：
1）非易失性（在掉电后数据能保存10年）；2）快速度（没有写等待时间，同时CLK的频
率高达20M）；3）低供耗（静态电流小于1uA，写入电流小于150uA）；4）擦写能力强（
5V工作电压的芯片的擦写次数为100亿次，低电压工作芯片的擦写次数为1亿个亿次；5）
读写的无限性（5V工作的芯片擦写次数超过100亿后，还能和SRAM一样读写，只是掉电后
数据不能保存）
改良型SRAM（ESRAM）介绍：
改良型SRAM是世界容量最大的SRAM，Ramtron的子公司Enhanced Memory Systems公司的
改良型SRAM采用单晶体管技术，改良型SRAM的容量是目前市场存储器容量的四倍而且价
格低功耗低； 比传统的6晶体管的SRAM容量大4倍，价格比传统的的SRAM便宜4倍； ESR
AM的速度与接口与传统的SRAM一样，是大容量低价格的SRAM, 改良型SRAM的容量是目前
市场存储器容量的四倍，在系统设计中可以用一片ESRAM可以取代4片价格昂贵的传统的
SRAM。
改良型SRAM（ESRAM）特点：
ESRAM产品之一SS2625（Nobl SRAM）
采用单晶体管（1-T）的技术；比传统SRAM容量大四倍（2M*36）；比传统SRAM价格低四
倍；比传统SRAM功耗低四倍；
SS2625是零总线延时的迸发增强型SRAM,它的引脚与传统的SRAM兼容,容量比传统的SRAM
大四倍,为通讯领域提供价廉物美的存储器,提供标准的100脚TQFP封装和119脚PBGA的封
装,开始延时9.5ns的时间,100%总线利用,4字迸发,最高时钟频率166M, 6 Gbps的带宽
ESRAM产品之二SS2615（DDR SRAM）
采用单晶体管（1-T）的技术；2.7 GB/seconds的宽带；比传统SRAM容量大四倍；比传统
SRAM价格低四倍；比传统SRAM功耗低四倍。
SS2615是大容量宽带的DDR增强型SRAM,是理想的网络通讯和计算即,服务器的存储器,Th
e Enhanced 公司的72Mb的 DDR增强型SRAM,容量大,价格低,提供300M的时钟频率,600Mb
it/pin数据传输, 21.6 Gbps带宽,标准的209-塑料BGA封装, SS2615开始延时13.3ns