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xxkjfw 发表于 2009/1/3 11:58:29
2楼 回复本楼IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。在变频器中又称为IGBT模块。
IGBT的主要功能可理解为是个电子开关。用其构成逆变电路将直流电压逆变成三相频率、电压可调的交流电以驱动三相电动机。
IGBT的结构
可认为是在一个晶体管（如PNP结构）结构的基础上加一个栅极MOS结构。已可理解为在MOSFET的基础加一层衬底P＋，增强少子注入效果，减小导通压降，形成晶体管结构。由于IGBT结构上的特殊性，决定了它的工作原理。一方面它完全象MOSFET一样，当栅极G上加一适当电压后，在P-体区中产生一个N型反型沟道，产生MOS开通电流IMOS；另一方面，IMOS又相当于晶体管PNP的基极电流，使得放大系数α→1，从而使晶体管导通，产生晶体管开通电流IBJT，IGBT导通。当栅极电压Vg去掉后，MOSFET沟道消失，IMOS→0，则α→0，从而使得晶体管关闭，IGBT关闭。
引用 xxkjfw 2009/1/3 11:58:29 发表于2楼的内容
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引用 ofuna 2009/1/6 8:34:42 发表于3楼的内容