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IGBT的驱动保护

litianai  发表于 2013/1/25 16:41:54      1149 查看 0 回复  [上一主题]  [下一主题]

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  用IGBT作电源,工作在高速大功率开关状态时,要使它安全可靠的

  工作,必须合理设计驱动电路,根据IGBT的特点,我们在设计时主要考虑了以下几个方面的问题:

  (1)选择合适的栅极正向驱动

  电压:从减小通态损耗的角度考虑,栅极正向电压越高越好,但是,过高的正向栅极电压将降低IGBT的短路承受能力,因此,我们采用折中的方法,取了一个15V左右的电压,收到了较好的效果。

  (2)加入5V反偏电压,利于IG—BT的快速关断:本条内容已在2.2中提到。

  (3)为了改善控制脉冲的前沿陡度和防止振荡,减少IGBT集电极大的电压尖脉冲,根据IGBT电流容量和电压额定值及开关频率的不同,选择合适的栅极串联电阻值。

  (4)为了阻止当集射极间加有高压时易受外界干扰而使栅射电压过高引起器件误导通的现象发生。在栅射间并接入一个栅射电阻解决了此问题。另外,为了防止栅极驱动电路出现高压尖峰,我们在栅射间并接了两只反向串联的稳压二极管,其稳压值与正栅压和负栅压相同,但方向相反。

  (5)IGBT超音频感应加热频繁起停,需要对功率器件IGBT进行过流保护,IGBT一般能抵抗约10us的短路电流。我们通过采取对过流信号延迟搜索的方法,即当过流故障信号来临时,先将栅压从+15V降至某一设定值,延时10斗s左右,再进行检测,若故障已消失,栅压又自动恢复到+15V左右,若仍处于过流状态,则将栅压降至零伏或以下,使IGBT截止。

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