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SI7110DN-T1-GE3单端场效应管特性
无卤选择
TrenchFET创第二功率MOSFET
热阻新低PowerPAK
包与低1.07毫米
优化PWM
100% Rg测试
应用程序
同步整流
巴克同步
PowerPAK?1212 - 8,(单/双)2
SI7110DN-T1-GE3单端场效应管参数
制造商:威世
产品类别:场效应晶体管
RoHS:是的
品牌:威世/ Siliconix
晶体管极性:n沟道
Vds公司-漏源极击穿电压:20 V
vg - Gate-Source击穿电压:20 V
Id -连续漏电流:13.5
Rds -漏源电阻:5.3莫姆
配置:单
最高工作温度:+ 150 C
Pd -功耗:1.5 W
越来越多的风格:smd / SMT
包/ Case:powerpak 1212 - 8
包装:卷
渠道模式:增强
下降时间:10 ns
最低工作温度:- 55 C
上升时间:10 ns
系列:si71xxdx
工厂包装数量:3000
商品名称:trenchfet / PowerPAK
典型的岔路延迟时间:36 ns
#别名:一部分si7110dn-e3
绝对最大额定参数TA = 25°C,除非另有注明
参数标志10年代稳态单元
漏源极电压VDS公司20V
Gate-Source电压vg±20
连续漏电流(TJ = 150°C)助教= 25°C
ID 21.1 - 13.5
一个 TA = 70°C 16.9 - 10.8
脉冲漏极电流IDM 60
连续电流源(二极管传导)是3.2 - 1.3
单目前L = 0 1 mH雪崩
IAS 35
单一的雪崩能量EAS 61 mJ
最大功率Dissipationa TA = 25°C
PD 3.8 - 1.5W
TA = 70°C 2.0 - 0.8
操作结和存储温度范围TJ,测试- 55到150°C
焊接的建议(峰值温度)b,c 260
热阻评级
SI7110DN-T1-GE3单端场效应管参数标志典型的最大单位
最大Junction-to-Ambienta t≤10 s RthJA
24 33
稳态65 81°C / W
最大Junction-to-Case(排水)稳态RthJC 1.9 - 2.4
注:
表面。安装在1 x 1”FR4板。
b。看到焊接概要文件。PowerPAK 1212 - 8是无铅的包。结束的铅暴露终端
镀铜(不)由于制造业的分离过程。在裸露的铜焊角尖无法保证
不需要确保足够的底侧焊料互连。
c。返工条件:手工焊接用烙铁为无铅的组件不推荐。
PowerPAK包
PowerPAK 1212 - 8包是一个导数的PowerPAK所以8。它使用相同的包装技术,最大化死区。的底部死附加垫接触提供了一个直接的、低阻力衬底设备热路径安装在。PowerPAK 1212 - 8因此翻译的好处PowerPAK所以8成较小包,相同级别的热性能。(请参考应用程序注意“PowerPAK所以8安装和热考虑。”)
再流焊
威世Siliconix表面装配包满足焊接回流的可靠性要求。设备被回流焊作为预处理,然后进行测试reliability-tested使用温度循环,偏见湿度,所,或压力罐。焊料回流蛋彩画真正的概要文件使用,温度和时间持续时间。