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MMBZ33VALT1G这些双单片硅齐纳二极管是为需要瞬态过电压保护能力的应用而设计的。它们用于电压和静电敏感设备，如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。他们的双结公共阳极设计只用一个封装保护两条独立的线路。这些设备是理想的情况下，董事会空间是溢价。
MMBZ33VALT1G特征：
SOT-23包允许两个单独的单向选择
配置或单双向配置
工作峰值反向电压范围_3V至26V
标准齐纳击穿电压范围_5.6V至47V
峰值功率_24或40W@1.0毫秒（单向），每图6波形
ESD等级：
_3B级(>16kV)人体模型
_每台机器型号的C类（>400V）
IEC61000_4_24级、±30kV接触放电的ESD额定值
最大箝位电压@峰值脉冲电流
低泄漏<5.0A
可燃性评定UL94V_0
SZ前缀用于汽车和其他需要独特的应用
现场和控制变更要求
PPAP能力
这些器件是无铅的并且是RoHS兼容的。
机械特性：
外壳：无空腔，转移成型，热固性塑料外壳
整理：耐腐蚀，易焊接
用于焊接目的的最大壳体温度：
260℃持续10秒
为优化自动板组装而设计的封装
高密度应用的小包装尺寸
8毫米胶带和卷轴
使用设备号订购7英寸/3000单位卷轴。
将“T1”替换为设备编号中的“T3”，以便命令
13英寸/10000单位卷轴。
制图：
最大比率：
超过最大额定值表中列出的压力可能会损坏设备。如果超过这些限制中的任何一个，则设备功能不应该假定，可能发生损坏，并且可能影响可靠性。
1、非重复电流脉冲，如图6所示，在TA＝25°C以上，如图所示。
2、FR-5=1.0×0.75x0.62in。
3、氧化铝=0.4×0.3×0.024in,99.5%氧化铝。
*其他电压可根据要求提供。
电气特性：
(TA=25°C，除非另有说明)
单向（连接到引脚1和3或2和3的电路）
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@IPP
工作峰值反向电压
最大反向泄漏电流@VRWM
击穿电压@IT
测试电流
VBR的最大温度系数
正向电流
正向电压@IF
最大齐纳阻抗@IZT
反向电流
最大齐纳阻抗@IZK
典型常用阳极应用：
SOT-23封装中的双结公共阳极设计仅使用一个封装保护两条单独的线。这给PCB设计增加了灵活性和创造性，尤其是当电路板空间高价时。下面说明TVS应用程序的两个简化示例。
计算机接口保护
