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CSD25310Q2晶体管产品
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 23.9 毫欧 @ 5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 655pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.9W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装 6-WSON（2x2）
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
WM8947ECS是 Cirrus旗下的一款编解码器芯片，我们只是销售商，要货欢迎联系我们，专做原装正品，广大商友可放心联系。
深圳市明佳达电子有限公司