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AO3400场效应管的特点描述

265793  发表于 2019/1/4 11:55:37      159 查看 0 回复  [上一主题]  [下一主题]

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    AO3400场效应管MOS管描述:N通道30-V(D-S)MOSFET低热阻;

    n沟道30伏MOSFET(d-s)

    AO3400场效应管MOS管主要特点:

    低rDS(上)沟技术

    低的热阻

    切换速度快

    AO3400场效应管MOS管典型应用:

    白光LED提高转换器

    汽车系统

    工业直流/直流转换电路

    笔记

    表面。安装在1 x 1”FR4板。

    b。脉冲宽度限制最大结温笔记

    脉冲测试:PW < = 300我们工作周期< = 2%。

    b。通过设计,保证不受生产测试。

    包信息2

    AO3400场效应管MOS管注意:

    1. 所有尺寸在毫米。

    2. 包体尺寸排除模具Flash,突出或门毛边。模具Flash,突出或门毛刺应每边不超过0.10毫米。

    3.包的身体大小决定模具的最外层塑料身体的极端排斥Flash,领带大门酒吧毛边,毛刺和Interlead Flash,但包括顶部和底部之间的不匹配塑料的身体。

    4. 包上可能小于包下。

    5. 维“B”不包括Dambar突出。容许Dambar突出应总在0.08毫米超过最大实体条件的“B”维度。Dambar不能位于较低脚的半径.


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