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NXP 恩智浦 BUK763R8-80E 全新正品MOS管
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 169nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12030pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 357W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
PSMN005-75B 分立半导体产品 75V
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 75A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 165nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8250pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 230W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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