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STD5N20LT4描述：N沟道200V-0.65ヘ-5ADPAKSTripFET；典型RDS()=0.65@5v，传导损失减少，低投入CAPACIATNCE，低阈值的设备；
STD5N20LT4描述
STD5N20L利用最新的先进的设计
圣的专有规则STripFET?技术。
这是适合要求最高的
电机控制和照明应用。
STD5N20LT4应用程序
UPS和运动控制
照明
STD5N20LT4的规格信息
系列STripFET
FET类型N沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）2.5V@50?A
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）6nC@5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）242pF@25V
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）33W（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）700毫欧@2.5A，5V
工作温度-55°C~150°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
封装形式PackageDPAK
极性PolarityN-CH
漏源极击穿电压VDSS200V
连续漏极电流ID5A
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