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STD3NK80ZT4的特征数据描述

265793  发表于 2019/1/30 13:57:15      268 查看 0 回复  [上一主题]  [下一主题]

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    STD3NK80ZT4描述:N沟道800V,3.8Ω,2.5A,TO-220,TO-220FP,DPAK,IPAK齐纳保护超网功率MOSFET;

    STD3NK80ZT4应用程序

    切换应用程序

    包装机械的数据

    为了满足环保要求,圣提供这些设备在不同等级的ECOPACK?包,根据他们的环境合规。ECOPACK?规格、等级定义和产品状态是可用的。ECOPACK圣商标。

    STD3NK80ZT4特性

    极高的dv/dt的能力

    100%雪崩测试

    门费用最小化

    非常低的内在的功放

    生产重复性很好

    STD3NK80ZT4描述

    的SuperMESH系列获得通过圣的极端的优化strip-basedPowerMESH?布局。除了推动导通电阻明显下降,特别是小心,以确保很好的dv/dt能力要求最高的应用。

    等系列补充圣全系列的高电压mosfet包括革命MDmesh产品。

    内置的背靠背稳压二极管不仅专门设计来提高设备的防静电功能,但是也可能让他们安全地吸收电压瞬变,偶尔会从这门应用到源。

    在这方面,齐纳电压是实现一个有效的和适当的具有成本效益的干预,以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免外部组件的使用。


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