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介绍：
存储卡由NAND闪存和存储卡控制器组成。NAND区域（VDDF或VCC）需要3V电源电压，而1.8V或3V双电源MMC控制器支持电压（VDD或VCCQ）。三星E?MMC支持200MHzDDR–最高支持400Mbps，总线宽度为8位提高顺序带宽，特别是顺序读取性能。
使用emmc有几个优点。它易于使用，因为MMC接口允许与任何微处理器与MMC主机轻松集成。由于嵌入式多媒体卡控制器将NAND技术与主机隔离，因此主机看不到对NAND的任何修订或修改。这导致更快的产品开发和更快的上市时间。
嵌入式闪存管理软件或e·mmc的ftl（闪存过渡层）管理磨损均衡、坏块管理和ECC。这个FTL支持三星NAND闪存的所有功能并实现最佳性能。
产品清单：
嵌入式多媒体卡版本。5.0兼容。详细说明见JEDEC标准。
三星EMMC支持在JEDEC标准中定义的EMMC5.0功能
-支持的功能：压缩命令、缓存、丢弃、清理、关机通知、数据标记，
分区类型、上下文ID、实时时钟、动态设备容量、HS200
-不支持的功能：大扇区大小（4KB）
EMMC5.0:hs400模式（200MHzDDR-高达400Mbps）的附加功能，现场固件更新，
设备运行状况报告、睡眠通知、安全删除类型
与先前的多媒体卡系统规范（1bit数据总线、multi-e·mmc系统）完全向后兼容
数据总线宽度：1bit（默认）、4bit和8bit
MMCI/F时钟频率：0~200MHz
MMCI/F引导频率：0~52MHz
温度：工作温度（-25℃~85℃），不工作存储温度（-40℃~85℃）。
电源：接口电源→VDD（VCCQ）（1.70V~1.95V或2.7V~3.6V），内存电源→VDDF（VCC）（2.7V~3.6V）
产品架构：
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