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描述：硅N沟道MOS型开关稳压器的应用；
2SK3878开关式应用程序
低漏源极电阻:RDS()=1.0Ω(typ)。
高向前转移导纳:yf=7.0年代(typ)。
低漏电流:ids=100μA(max)(VDS=720V)
增强模型:Vth=2.0~4.0V(VDS=10V,ID=1mA)
2SK3878标记
2SK3878注意:
使用不断在沉重的负载的情况下(例如,应用程序的高温度/电流/电压和显著的变化温度等)可能导致这种产品在可靠性显著减少,即使操作条件(即。操作温度/电流/电压等)是在绝对最大额定参数。
请设计适当的可靠性在回顾东芝半导体可靠性手册(/降额的概念和“处理预防措施”可靠性方法)和个人数据(即可靠性测试报告和估计失效率等)。
注1:确保通道的温度不超过150°C在设备的使用。
注2:VDD=90V,话务信道=25°C、L=17.6mH,RG=25Ω,IAR=9
注3:重复评级:脉冲宽度限制最大结温这个晶体管是一种electrostatic-sensitive装置。小心轻放。