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瞬态电压抑制元件LC03-3.3,LC03-6

dodo1999  发表于 2019/5/10 14:07:36      948 查看 0 回复  [上一主题]  [下一主题]

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大功率低容值瞬变二极管阵列


LC Series 18 V 1800 W SMT Low Capacitance TVS for High Speed Interface - SOIC-8

可以保护连接到高频成分从电压高速数据通信线路浪涌引起的雷电,静电放电(ESD),电快速瞬变(EFT)。

适用于:低压接口?T3E ?10/100 /1000以太网?机顶盒?ISDN接口,低工作电压3.3V大大减少发热带来的影响,高功率使数据传输更便捷,其内部结构特殊(详见下方电路图)

LC03-3.3电特性(Features):

1、高速接口的低电容。

2、超低漏:nA水平。

3、低工作电压:3.3V

4、超低的箝位电压。

5、保护两线的共模和差模

6、jedec SO - 8封装

7、符合以下标准:

IEC61000-4-2(ESD)静电试验

空气放电: ±30Kv

接触放电: ±30kV 

IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)

IEC61000-4-5 (Lightning) 100A (8/20μs)

符合rohs标准

大功率低容值瞬变二极管阵列
TVS  LC03-6.TBT参数

电压, Vrwm: 6V

击穿电压范围: 6.8V

钳位电压 大: 20V

峰值脉冲电流: 100A

封装形式: SOIC

针脚数: 8

二极管类型: TVS

击穿电压: 6.8V

击穿电压 小: 6.8V 
封装类型: SOIC

工作温度范围:-55°C +125°C

截止电压: 6V

电容, Cd典型值 @ Vr: 8pF

 

 


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