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硬件设计的几个基本问题 (转载)

马军成  发表于 2007/12/7 21:39:35      544 查看 0 回复  [上一主题]  [下一主题]

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硬件设计的几个基本问题 (转载)
[问]:
1、电阻电容的封装形式如何选择,有没有什么原则?比如,同样是 104 的电容有 0603、0805 的封装,同样是 10uF 电容有 3216、0805、3528 等封装形式,选择哪种封装形式比较合适呢?
[答]:
1、电阻电容的封装与元件的规格有关,简而言之,对于电阻,封装与阻值(容值)和功率有关,功率越大,封装尺寸越大;对于电容,封装与容值和耐压有关,容值和耐压越高,封装尺寸越大。经验之谈,0603 封装的电容,容值最大为 225(2.2μF),10μF 的电容,应该没有 0805 的封装,而 3216,3528 的封装与耐压和材料有关,建议你根据具体元件参考相应的 Datasheet。
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[问]:
2、有时候两个芯片的引脚(如芯片A 的引脚 1,芯片B 的引脚 2)可以直接相连,有时候引脚之间(如A-1 和 B-2)之间却要加上一片电阻,如 22欧,请问这是为什么?这个电阻有什么作用?电阻阻值如何选择?
[答]:
2、在芯片的引脚连线之间串入电阻,多见于信号传输上,电阻的作用是防止串扰,提高传输成功率,有时也用来作为防止浪涌电流。电阻值一般较小,低于 100 欧姆。
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[问]:
3、藕合电容如何布置?有什么原则?是不是每个电源引脚布置一片 0.1μF?有时候看到 0.1μF 和 10μF 联合起来使用,为什么?
[答]:
3、藕合电容应尽可能靠近电源引脚。耦合电容在电源和地之间的有两个作用:一方面是蓄能电容,避免由于电流的突变而使电压下降,相当于滤纹波,故又称为去藕。另一方面旁路掉该器件的高频噪声,故又称为旁路。数字电路中典型的去耦电容值是 0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是 5μH。0.1μF 的去耦电容有 5μH 的分布电感,它的并行共振频率大约在 7MHz 左右,也就是说,对于 10MHz 以下的噪声有较好的去耦效果,对 40MHz 以上的噪声几乎不起作用。0.1μF、10μF 的电容并联使用,共振频率在 20MHz 以上,去除高频噪声的效果要好一些,较好的兼顾了去藕和旁路。经验上,每 10 片左右 IC 要加一片 1 个耦合电容,可选 1μF 左右。最好不用铝电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用,可按 C="1"/F, 10MHz 取 0.1μF,100MHz 取 0.01μF。
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[问]:
4、所谓 5V TTL 器件、5V CMOS 器件是指什么含义?是不是说该器件电源接上 5V,其引脚输出或输入电平就是 5V TTL 或者 5v CMOS?
[答]:
4、泛泛地讲,5V TTL 器件和 5V CMOS 器件统称为 5V 器件,可以讲该器件电源接上 5V,其引脚输出或输入电平就是 5V TTL 或者 5V CMOS。但 TTL 和 CMOS 器件由于材料的不同,导致其驱动能力、功耗、上升时间、开关速度等参数迥异,分别适用不同的场合
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