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晶体管电路设计(上)

马军成  发表于 2007/12/7 21:43:34      814 查看 0 回复  [上一主题]  [下一主题]

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晶体管电路设计(上)

――放大电路技术的实验解析

 

1)放大的原理:与输入信号成正比(反比)的输出信号可以认为是从电源中获得的。

   晶体管工作原理:用基极电流来控制集电极-发射极电流。

   FET 管工作原理:用栅极电压来控制漏极电流。

2)基本共发射极电路分析:直流偏置(电阻R1,R2);输出耦合电容;集电极反相输出;交流放大辈数(Av=Rc/Re)。

   故放大倍数与晶体管的放大系数hEF无关,完全由RcRe决定;另外Re的值增大,放大辈数Av减小,所   以认为该电路由Re加了负反馈,称为发射极反馈电阻,由于反馈,Re有抑制因hEF的分散性和vBE的温   度变化而产生的发射极电流变化的作用。

3)设计方法:确定电源电压=》确定发射极电流的工作点=》确定RcRe[Rc值太大,压降增大,集电极   电位下降,输出振幅大时,集电极电位靠近发射极电位,削去输出波形下侧;当Rc值太小,集电极电   位靠近电源电位,削去输出波形的上侧]=》基极偏置的设计=》确定耦合电容(C1,C2,输入为高通   滤波,输入阻抗为偏置电阻R1//R2)=》电源耦合电容,大并小。

4)射极跟随器:VeVb决定,与Re值无关,故Ve的交流成分的输出信号Vo以与Re无关,即使改变负载电   阻大小,V总是一定,所以可以认为射极跟随器输出阻抗为0(严格算为几欧姆)。

5OP放大器与射极跟随器的组合:OP输出直接驱动晶体管基极,并提供基极电流;

   互补输出采用电压倍增电路,改善Vbe的温度特性,同时输出加电阻反馈。

6)共基极电流的频率特性好等特点。

7)输出部分与输入部分的距离较远时,传输信号的线路的特性阻抗(由分布参数引起的线路固有的阻抗)与输入输出阻抗要进行匹配,这就叫做阻抗匹配。

   如果不进行阻抗匹配,则线路上会发生驻波,发送功率的一部分会反射回来,传输线因而具有频率特性。

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