-
-
手机阅读
项 目 IGBT ----- IGCT 关断电流 1500A（di/dt=1000A/μS） ----- 4000A（di/dt=4000A/μS）存储时间 0.5（μS） -----3（μS）（di/dt=4000A/μS）开通时间 1（μS）（di/dt=100A/μS） ----- 3（μS）（di/dt=100A/μS）通态压降 3.75V（@400A） 开关损耗 0.64(@1000A) ----- 4.0V（@400A）门驱动功率 0.1(@500Hz) ----- 1.0(@1000A) 门驱动线路 简单（40个器件/门） ----- 0.5(@500Hz) 耐短路电流 10In（10μS） ----- 较复杂（222个器件/门） di/dt,di/dt有源保护 有 ----- 无短路限流 有 ----- 无器件损坏后的表现 器件开路 ----- 器件短路结构与安装 与驱动线路板分开安装， ----- 与驱动线路板整体安装， IGBT损坏时仅更换功率器件。----IGCT损坏时整体更换。 应用成熟性 技术成熟、性能稳定， ----- 新型元器件 在低压中小功率变频器中已应用十余年
1楼
0
0
回复